Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода.  Иондық синтез жəне көміртегі мен кремний карбиді пленкаларының қасиеттері

N. B. Beisenkhanov; I. K. Beisembetov; K. Kh. Nussupov; S. K. Zharikov; B. K. Kenzhaliev; T. K. Akhmetov; B. Zh. Seitov

Авторы

N. B. Beisenkhanov Казахстанско-Британский технический университет
I. K. Beisembetov
K. Kh. Nussupov
S. K. Zharikov
B. K. Kenzhaliev
T. K. Akhmetov
B. Zh. Seitov

Ключевые слова:

карбид кремния, ионная имплантация, структура, кристаллизация, , кремний карбиді, иондық имплантация, құрылым, кристалдану.

Аннотация

Линейный характер уменьшения количества Si-C-связей в однородных слоях карбида кремния на кремнии с увеличением длительности изотермического (1200С) отжига свидетельствует о независимости скорости распада SiC от степени удаленности фронта окисления от поверхности пленки. Смещение минимума SiC-пика ТО-фононов в область выше 800 см-1, уменьшение амплитуды и исчезновение пика LO-фононов в ИК-спектрах в процессе длитель- ного отжига трактуются малыми размерами кристаллитов. Методом рентгеновской рефлектометрии определены параметры алмазоподобной углеродной пленки, полученной магнетронным распылением. Изотермиялық күйдіру (1200С) ұзақтылығының артуымен кремний бетіндегі кремний карбидінің біртекті қабаттарындағы Si-C байланыстар мөлшері кемуінің сызықты сипаты SiC ыдырау жылдамдығы тотығу фронтының пленка бетінен қашықтау дəрежесіне тəуелсіз екендігін көрсетеді. Ұзақ уақыт күйдіру процесінде ИҚ-спектрлердегі LO-фонондар шыңының амплитудасының кемуі жəне жойылуы, ТО-фонондардаң SiC-шыңдарының минимумының 800 см-1 аймақтан жоғары ығысуы кристаллиттердің кіші өлшемдерімен талқыланды. Рентгендік рефлектометрия əдісімен магнетрондық ыдырату арқылы алынған алмазтекті көміртегілік пленканың параметрлері анықталды.