РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ V – ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ KCl, KBr И KI В ПОЛЕ ЛЕГКОГО КАТИОНА, ПЛАСТИЧЕСКОЙ И УПРУГОЙ ДЕФОРМАЦИИ

Аннотация

В работе методом абсорбционной спектроскопии исследованы эффективности созданных рентгеновской радиации V – центров в кристаллах KCl, KBr и KI в полях легких катионов, пластической и упругой деформации. Установлено, что в поле легкого катиона эффективнее создаются V_4A º (X₃^-)_aca⁰M_A⁺X_i^- - центры, а в поле дивакансий (v_a⁺ v_c^-) - V₂ º(X₃^-)_aca⁰- центры, которые образуются при взаимодействии двух междоузельных атомов галогена в поле легкого катиона и дивакансий (v_a⁺ v_c^-), соответственно. В поле упругого напряжения эффективность создания  V – центров в кристаллах KCl не меняется, в кристаллах KBr -  слегка уменьшается за счет увеличения эффективности создания Br₂^--центров, в кристалле KI – резко уменьшается. Эффект уменьшения создания радиационных  дефектов в кристаллах KI в поле упругого напряжения интерпретирован энергетической невыгодностью распада автолокализованных экситонов на первичные радиационные дефекты – F, Н – пары.