ОСОБЕННОСТИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В КВАЗИПЕРИОДИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
80 20
Аннотация
Теоретически и экспериментально показана возможность усиления интенсивности комбинационного рассеяния ближнего инфракрасного света на краю поглощения фотонов в периодической многослойной структуре, состоящей из чередующихся слоев пористого кремния с высоким и низким показателями преломления. Полученные результаты показывают перспективность использования этих структур в качестве матрицы для усиления эффективности комбинационного рассеяния.
Библиографические ссылки
1. Ziaie B., A., Baldi M., Atashbar Z., “Introduction to Micro/Nanofabrication”, in Springer Handbook of Nanotechnology, B. Bhushan ed. (Springer, Berlin, 2004).
2. Kompan M. E., Novak I. I., Kulik V. B., Kamakova N. A., “Enhancement of Raman scattering intensity in porous silicon”, J. Phys. Sol. State 41, n. 7, 1207 (1999).
3. M. E. Kompan, I. I. Novak, V. B. Kulik, Salonen J., Subashiev A. V., “Anomalous polarization of Raman scattering spectra from porous silicon”, JETP Letters, 67, n. 7, 106 (1998).
4. Soboleva I. V. et al, “Second- and third-harmonic generation in birefringent photonic crystals and microcavities based on anisotropic porous silicon”, J. Appl. Phys. Lett., 87, 241110 (2005).
5. Golovan L. A., Timoshenko V. Yu., Kashkarov P. K., “Optical properties of porous-system-based nanocomposites”, J. Phys.-Usp., 50, 595-612 (2007).
6. Golovan L. A., Kashkarov P. K., Syrchin M. S., Zheltikov A. M., “One Dimensional Porous- Silicon Photonic Band-Gap Structures with Tunable Reflection and Dispersion”, J. Phys. Stat. Sol. (a), 182, 437 (2000).
7. Jalali B., Claps R., Dimitropoulos D., Raghunathan V., “Light generation, amplification and wavelength conversion via stimulated raman scattering in silicon microstructures”, J. Topics Appl. Phys., 94, 199 (2004).
8. Born M., Wolf E., Principles of Optics (sixth ed., Pergamon Press), 1980.
9. Compaan A., Lee M. C. and Trott G. J., “Phonon population by nanosecond-pulsed Raman scattering in Si”, J. Phys. Rev B, 32, 6731 (1985).
10. Aspnes D.E., Studna A.A., “Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV”, J. Phys. Rev. B, 985 (1983).
2. Kompan M. E., Novak I. I., Kulik V. B., Kamakova N. A., “Enhancement of Raman scattering intensity in porous silicon”, J. Phys. Sol. State 41, n. 7, 1207 (1999).
3. M. E. Kompan, I. I. Novak, V. B. Kulik, Salonen J., Subashiev A. V., “Anomalous polarization of Raman scattering spectra from porous silicon”, JETP Letters, 67, n. 7, 106 (1998).
4. Soboleva I. V. et al, “Second- and third-harmonic generation in birefringent photonic crystals and microcavities based on anisotropic porous silicon”, J. Appl. Phys. Lett., 87, 241110 (2005).
5. Golovan L. A., Timoshenko V. Yu., Kashkarov P. K., “Optical properties of porous-system-based nanocomposites”, J. Phys.-Usp., 50, 595-612 (2007).
6. Golovan L. A., Kashkarov P. K., Syrchin M. S., Zheltikov A. M., “One Dimensional Porous- Silicon Photonic Band-Gap Structures with Tunable Reflection and Dispersion”, J. Phys. Stat. Sol. (a), 182, 437 (2000).
7. Jalali B., Claps R., Dimitropoulos D., Raghunathan V., “Light generation, amplification and wavelength conversion via stimulated raman scattering in silicon microstructures”, J. Topics Appl. Phys., 94, 199 (2004).
8. Born M., Wolf E., Principles of Optics (sixth ed., Pergamon Press), 1980.
9. Compaan A., Lee M. C. and Trott G. J., “Phonon population by nanosecond-pulsed Raman scattering in Si”, J. Phys. Rev B, 32, 6731 (1985).
10. Aspnes D.E., Studna A.A., “Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV”, J. Phys. Rev. B, 985 (1983).
Загрузки
Как цитировать
Mamichev, D., Mussabek, G., Goryachev, V., Golovan, L., Taurbayev, Y., Timoshenko, V., & Taurbayev, T. (2018). ОСОБЕННОСТИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В КВАЗИПЕРИОДИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ. Вестник. Серия Физическая (ВКФ), 32(1), 67–71. извлечено от https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1061
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
