Кеуекті галлий фосфиді қабықшаларын алу және физикалық қасиеттерін зерттеу
Ключевые слова:
кеуекті галлий фосфиді, электрохимиялық жеміру, құрылым, морфология, сканерлеуші электрондық микроскопАннотация
Жартылайөткізгіш матреиалдардың ішіндегі АIIIВV қоспалар классы эффективті электрондық және фотондық құрылғыларын шығаруда кеңінен қолданылады. Заманауи жартылайөткізгіштік электроникада қолданылатын өзекті материалдардың ретінде наноөлшемді материалдар қарастырылатыны мәлім және солардың ішінде наноқұрылымды кеуекті материалдар ерекше орын алуда. Берілген мақала заманауи электроника мен фотоника салаларында болашағы зор болып танылатын материалдарының бірі – кеуекті галлий фосфидін электрохимиялық әдіспен алу және физикалық қасиеттерін зерттеудегі соңғы ғылыми-техникалық жетістіктірге шолу жасауға арналған. Жұмыста кеуекті галлий фосфидін электрохимиялық жеміру әдісімен алудың жалпы технологиясы сипатталып, процессті тиімді басқару жолдары көрсетілген, сондай-ақ, жеміру процессінің технологиялық ерекшеліктерінің түзілетін құрылымдардың физикалық қасиеттеріне әсері мен материалды қолдану аясында жасалған жаңа ұсыныстар талқыланған.
Библиографические ссылки
2 Y.C. Shen, M.H. Hon, I.C. Leu and L.G. Teoh, Applied Physics 98, 429-434 (2010).
3 M. Treideris, I. Simkiene, I. Kasalynas, A. Selskis and G.J. Babonas, Lithuanian Journal of Physics 51, 341 – 344 (2011).
4 R. Sutherland, Handbook on Nonlinear Optics, (Marcel Dekker, New York, 2013), 685 p.
5 V.P. Ulin and S.G. Konnikov, Fizika i tekhnika poluprovodnikov 7, 854-866 (2007). (in Russ).
6 R.W. Tjerkstra, Electrochem and solid-state letters 9, 81-84 (2006).
7 V.A. Mel'nikov, L.A. Golovan, S.O. Konorov, D.A. Muzychenko, A.B. Fedotov, A.M. Zheltikov, V.Yu. Timoshenko and P.K. Kashkarov, Appl. Phys 79, 225–228 (2004). A.V. Zoteyev, P.K. Kashkarov, A.N. Obraztsov and V.Yu. Timoshenko, Fizika i tekhnika poluprovodnikov 8, 1473-1478 (1996). (in Russ).
8 K. Tomioka and S. Adachia, Journal of Applied Physics 98, 1-7 (2005).
9 T.N. Zavaritskaya, V.A. Karavanskiy and A.V. Kvit, Fizika i tekhnika poluprovodnikov 2, 235-240 (1998). (in Russ).
10 Ch. Zhu, M. Zheng, Z. Xiong, H. Li and W. Shen, International journal of hydrogen energy 39, 10861-10869 (2014).
11 M.A. Stevens-Kalceff, I.M. Tiginyanu, S. Langa, H. Föll and H.L. Hartnagel, Journal of Applied Physics 89, 2559-2565 (2001).
12 I.M. Tiginyanu, I.V. Kravetsky, S. Langa, G. Marowsky, J. Monecke and H. Föll, Applied Research 194, 549–555 (2003).
13 A.I. Belogorokhov, V.A. Karavanskii, A.N. Obraztsov and V.Yu. Timoshenko, Pisma v ZHETF 60, 274-278 (1994). (in Russ).
14 L.A. Golovan, V.A. Mel’nikov, S.O. Konorov, A.B. Fedotov, S.A. Gavrilov, A.M. Zheltikov, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko, G.I. Petrov, L.Li and V.V. Yakovlev, Pisma v ZHETF 78, 229-233 (2003). (in Russ).
15 R.W. Tjerkstra, J.R. Gómez, D.A.M. Vanmaekelbergh and J.J. Kelly, Electrochemical and solid-state letters 5, 32 - 35 (2002).
16 A. Standing, S. Assali, G. Lu, M.A. Verheijen, and Y. Cui, Nature communications 6, 1-7 (2015).
17 D.A. Bussian, S.A. Crooker, M. Yin, M. Brynda, Al.L. Efros, and V.I. Klimov, Nature Mater. 8, 35-40 (2009).
18 N.P. Dasgupta and P.Yang, Front. Phys. 9, 289-302,(2014).
19 S.I. Radautsan, Yu.I. Maksimov, V.V. Negreskul and S.L. Pyshkin, Fosfid galliya (Kishinev: AN MSSR. In-t prikl. Fiziki, 1969), 123 p. (in Russ).
20 M. Matthew, C.H. Aaron and E.B. Paul, Applied Physics Letters 104, 1-5 (2014).
21 S. Singh and P. Srivastava, Applied Nanoscience 3, 89–94 (2013).
22 J.W. Marvin, Handbook of optical materials, (CRC Press, California, 2003), 499 p.
23 J.M. Hwang, W.H. Hung and H.L. Hwang, IEEE Photonics Technology Letters 20, 608-610 (2008).
24 I. Tiginyanu, E. Monaico, V. Sergentu, A. Tiron and V. Ursakia, ESC Journal of Solid State Science and Technology 4, 57-62 (2015).
