Исследование фотоэлектрических свойств солнечных элементов с текстурированным пористым кремнием

Abstract

В данной работе рассматриваются экспериментальные методы проведения процесса термодиффузии в пористом кремнии, определения глубины проникновения фосфора в кремний и построения профиля распределения концентрации примеси по глубине p-n- перехода, а также диффузия примесей фосфора через оксидную плен- ку пористого кремния. Кроме того в данной работе рассматривается возможность повышения тока короткого замыкания солнечного элемента за счет оптимизации уровня легирования и уменьшения темнового тока насыщения в p-n- переходе. В связи с этим, было исследовано поведение обратного темнового тока насыщения в зависимости от приложенного напряжения, при наличии легирующего оксида и без него. В работе показано, что с помощью проведение диффузии фосфора через слой наноструктурированного пористого кремния можно сформировать устойчивую структуру солнечного элемента с наилучшим выходным параметрами, вследствие уменьшения тока насыщения p-n-перехода.