Исследование морфологии эпитаксиальной структуры NiSb-GaAs методом оптической и атомно-силовой микроскопии

Abstract

В работе проведено исследование морфологии эпитаксиальных GaAs пленок, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на монокристаллических интерметаллических подложках антимонида никеля (NiSb). Применение оптической и атомно-силовой микроскопии для контроля качества эпитаксиальных пленок выявило зависимость их морфологии от качества обработки подложки перед процессом эпитаксии. Установлено, что чем более однородная и гладкая поверхность подложки, тем меньше размеры островков на поверхности пленки и ее шероховатость. Показано, что функция распределения характерных размеров островков на поверхности пленок следует нормальному гауссовскому закону. Исследование фотолюминесценции данных пленок подтвердило, что среднее значение и полуширина кривой распределения коррелирует с однородностью структурных образований на поверхности и ее шероховатостью. Чем меньше среднее значение пиков на поверхности пленок и полуширина кривой распределения, тем более совершенной является их структура. Интенсивность фотолюминесценции в таких пленках выше, а полуширина линии уже по сравнению с более неоднородными пленками.