Расчет фазовой диаграммы системы Bi-Ga-Al-As
Ключевые слова:
фазовая диаграммаАннотация
В квазирегулярном приближении рассчитаны изотермы ликвидуса и солидуса в четверной системе Bi-Ga-Al-As в температурном интервале 600-900оС. Найдена температурная зависимость растворимости GaAs в Bi-Ga расплавах. Определены области кристаллизации твердого раствора AlGaAs. Изучено влияние Ga и Al на растворимость GaAs.
Библиографические ссылки
1 Biryulin Yu.F., Chaldyshev V.V., Novikov S.V., Shmartsev Yu.V., Cryst.prop.and prep., 32-34, 545 (1991).
2 Rudaya N.S., Bolkhovityanov Yu.B., Zhuravlev K.S., Pis'ma v ZhTF, 16 (9), 37-40 (1991).
3 Rudaya N.S., Bolkhovityanov Yu.B., Zhuravlev K.S. et al., Cryst.prop.and prep., 32-34, 542-544 (1991).
4 Марончук И.Е., Шутов С.В., Кулюткина Т.Ф., Неорганические материалы, 31 (12), 1520-1522 (1995). (in Russ)
5. Panek M., Ratuszek.M.,Tlaczala M. J.of Materials Science, 21, 3977-3980, (1986).
6. Yakusheva N.A., Cryst.prop.and prep., 32-34, 537-541 (1991).
7. GladkovP., Monova E.,Weber J. J. Appl. Phys. 74, 8, 5020 – 5024 (1993).
8. Saravanan S., Jeganathan K., Baskar K., et al. Jpn. J. Appl. Phys. 36, 3385-3388 (1997).
9. Якушева Н.А., Чикичев С.И. Неорганические материалы, 23, 1607-1609 (1987). (in Russ)
10. BolkhovityanovYu.B., Bolkhovityanova R.I., Dolbak A.E., Chikichev S.I., Cryst.prop.and prep., 32-34, 591-593, (1991).
11. Panish M.B., J.Appl.Phys., v44, N6, 2667-2675 (1973).
12. Veieland L.J., Acta Met., 11 (2), 137-147 (1963).
13. Ilegems M., Pearson G.L. Derivation of the GA—Al—As ternary phase diagram with applications to liquid phase epitaxy.— In: Proc. 2-nd Int. Symp. on Gallium Arsenide, (Dallas, 1968, Oct. London, Inst. Phys. and Phys. Soc., 1969), p.3-11.
14. Jordan A.S., J. Electrochem. Soc., 119, 123-124 (1972).
15. Jordan A.S., Met. Trans. B. 7 (6), 191-202, (1976).
16. Диаграммы состояния двойных металлических систем, Справочник в 3-х томах, Том 1, под ред. акад. РАН Н.П.Лякишева, (Москва, Машиностроение, 1996), 992 с. (in Russ)
17. Rubenstein M. J. Electrochem. Soc., 113 (7), 752-753 (1996).
2 Rudaya N.S., Bolkhovityanov Yu.B., Zhuravlev K.S., Pis'ma v ZhTF, 16 (9), 37-40 (1991).
3 Rudaya N.S., Bolkhovityanov Yu.B., Zhuravlev K.S. et al., Cryst.prop.and prep., 32-34, 542-544 (1991).
4 Марончук И.Е., Шутов С.В., Кулюткина Т.Ф., Неорганические материалы, 31 (12), 1520-1522 (1995). (in Russ)
5. Panek M., Ratuszek.M.,Tlaczala M. J.of Materials Science, 21, 3977-3980, (1986).
6. Yakusheva N.A., Cryst.prop.and prep., 32-34, 537-541 (1991).
7. GladkovP., Monova E.,Weber J. J. Appl. Phys. 74, 8, 5020 – 5024 (1993).
8. Saravanan S., Jeganathan K., Baskar K., et al. Jpn. J. Appl. Phys. 36, 3385-3388 (1997).
9. Якушева Н.А., Чикичев С.И. Неорганические материалы, 23, 1607-1609 (1987). (in Russ)
10. BolkhovityanovYu.B., Bolkhovityanova R.I., Dolbak A.E., Chikichev S.I., Cryst.prop.and prep., 32-34, 591-593, (1991).
11. Panish M.B., J.Appl.Phys., v44, N6, 2667-2675 (1973).
12. Veieland L.J., Acta Met., 11 (2), 137-147 (1963).
13. Ilegems M., Pearson G.L. Derivation of the GA—Al—As ternary phase diagram with applications to liquid phase epitaxy.— In: Proc. 2-nd Int. Symp. on Gallium Arsenide, (Dallas, 1968, Oct. London, Inst. Phys. and Phys. Soc., 1969), p.3-11.
14. Jordan A.S., J. Electrochem. Soc., 119, 123-124 (1972).
15. Jordan A.S., Met. Trans. B. 7 (6), 191-202, (1976).
16. Диаграммы состояния двойных металлических систем, Справочник в 3-х томах, Том 1, под ред. акад. РАН Н.П.Лякишева, (Москва, Машиностроение, 1996), 992 с. (in Russ)
17. Rubenstein M. J. Electrochem. Soc., 113 (7), 752-753 (1996).
Загрузки
Опубликован
2012-06-27
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
