РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ V – ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ KCl, KBr И KI  В ПОЛЕ ЛЕГКОГО КАТИОНА, ПЛАСТИЧЕСКОЙ И УПРУГОЙ ДЕФОРМАЦИИ

K. Bizhanova; K. Shunkeyev

Авторлар

K. Bizhanova Каспийский государственный университет технологии и инжиниринга им. Ш. Есенова, г.Актобе, Казахстан
K. Shunkeyev Актюбинский государственный педагогический институт, г.Актобе, Казахстан

Аңдатпа

В работе методом абсорбционной спектроскопии исследованы эффективности созданных рентгеновской радиации V – центров в кристаллах KCl, KBr и KI в полях легких катионов, пластической и упругой деформации. Установлено, что в поле легкого катиона эффективнее создаются V₄_A º (X₃^-)_aca⁰M_A⁺X_i^- - центры, а в поле дивакансий (v_a⁺ v_c^-) - V₂ º(X₃^-)_aca⁰- центры, которые образуются при взаимодействии двух междоузельных атомов галогена в поле легкого катиона и дивакансий (v_a⁺ v_c^-), соответственно. В поле упругого напряжения эффективность создания V – центров в кристаллах KCl не меняется, в кристаллах KBr - слегка уменьшается за счет увеличения эффективности создания Br₂^--центров, в кристалле KI – резко уменьшается. Эффект уменьшения создания радиационных дефектов в кристаллах KI в поле упругого напряжения интерпретирован энергетической невыгодностью распада автолокализованных экситонов на первичные радиационные дефекты – F, Н – пары.