ЭКСИТОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В КРИСТАЛЛЕ KI ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОДНООСНОЙ ДЕФОРМАЦИИ
Аңдатпа
На основе люминесцентной спектроскопии впервые исследовано влияние низкотемпературной упругой одноосной деформации на процесс экситон-фононного взаимодействия в кристалле KI путем регистрации температурного тушения люминесценции автолокализованного экситона. Установлено увеличение значения энергии активации тушения люминесценции автолокализованного экситона, что интерпретируется увеличением потенциального барьера безызлучательного канала распада автолокализованного экситона на радиационные дефекты в кристалле KI. Из экспериментальных данных вычислены значения частоты активных колебаний экситонов и параметра Хуанга-Риса в кристалле KI. Понижение симметрии кристалла KI при низкотемпературной одноосной деформации приводит к увеличению частоты активных колебаний экситонов, которое свидетельствует об ослаблении экситон-фононного взаимодействия приводящее к увеличению вероятности излучательной аннигиляции экситонов, что и подтверждается экспериментальными данными.
