Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода. Иондық синтез жəне көміртегі мен кремний карбиді пленкаларының қасиеттері
Кілт сөздер:
карбид кремния, ионная имплантация, структура, кристаллизация, , кремний карбиді, иондық имплантация, құрылым, кристалдану.Аңдатпа
Линейный характер уменьшения количества Si-C-связей в однородных слоях карбида кремния на кремнии с увеличением длительности изотермического (1200С) отжига свидетельствует о независимости скорости распада SiC от степени удаленности фронта окисления от поверхности пленки. Смещение минимума SiC-пика ТО-фононов в область выше 800 см-1, уменьшение амплитуды и исчезновение пика LO-фононов в ИК-спектрах в процессе длитель- ного отжига трактуются малыми размерами кристаллитов. Методом рентгеновской рефлектометрии определены параметры алмазоподобной углеродной пленки, полученной магнетронным распылением. Изотермиялық күйдіру (1200С) ұзақтылығының артуымен кремний бетіндегі кремний карбидінің біртекті қабаттарындағы Si-C байланыстар мөлшері кемуінің сызықты сипаты SiC ыдырау жылдамдығы тотығу фронтының пленка бетінен қашықтау дəрежесіне тəуелсіз екендігін көрсетеді. Ұзақ уақыт күйдіру процесінде ИҚ-спектрлердегі LO-фонондар шыңының амплитудасының кемуі жəне жойылуы, ТО-фонондардаң SiC-шыңдарының минимумының 800 см-1 аймақтан жоғары ығысуы кристаллиттердің кіші өлшемдерімен талқыланды. Рентгендік рефлектометрия əдісімен магнетрондық ыдырату арқылы алынған алмазтекті көміртегілік пленканың параметрлері анықталды.Жүктеулер
Жарияланды
2013-09-27
Журналдың саны
Бөлім
Condensed Matter Physics and Materials Science Problems. NanoScience
Дәйексөзді қалай келтіруге болады
[1]
N. B. Beisenkhanov, “Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода. Иондық синтез жəне көміртегі мен кремний карбиді пленкаларының қасиеттері”, Rec.Contr.Phys., vol. 2013, no. 3, pp. 27–36, Sep. 2013, Accessed: Jul. 11, 2026. [Online]. Available: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/96
