Исследование фотоэлектрических свойств солнечных элементов с текстурированным пористым кремнием
Ключевые слова:
Кремниевый солнечный элемент, Пористый кремний, Термодиффузия, Диффузант, p-n-переход, Химическо травление, Фосфоросиликатное стеклоАннотация
В данной работе рассматриваются экспериментальные методы проведения процесса термодиффузии в пористом кремнии, определения глубины проникновения фосфора в кремний и построения профиля распределения концентрации примеси по глубине p-n- перехода, а также диффузия примесей фосфора через оксидную плен- ку пористого кремния. Кроме того в данной работе рассматривается возможность повышения тока короткого замыкания солнечного элемента за счет оптимизации уровня легирования и уменьшения темнового тока насыщения в p-n- переходе. В связи с этим, было исследовано поведение обратного темнового тока насыщения в зависимости от приложенного напряжения, при наличии легирующего оксида и без него. В работе показано, что с помощью проведение диффузии фосфора через слой наноструктурированного пористого кремния можно сформировать устойчивую структуру солнечного элемента с наилучшим выходным параметрами, вследствие уменьшения тока насыщения p-n-перехода.Загрузки
Опубликован
16.04.2015
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
Как цитировать
[1]
К. К. Диханбаев, С. М. Манаков, А. А. Туралиева, А. С. Джунусбеков, и Т. И. Таурбаев, «Исследование фотоэлектрических свойств солнечных элементов с текстурированным пористым кремнием», Rec.Contr.Phys., т. 2015, вып. 1, сс. 30–37, апр. 2015, просмотрено: 9 июль 2026 г. [онлайн]. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/347
