ВОЗМОЖНОСТИ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНООБЪЕКТОВ В ПОРИСТОМ КРЕМНИИ И ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ, МЕТОДОМ ПОЗИТРОННОЙ АННИГИЛЯЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация
По методу углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ) определены химический состав среды в месте аннигиляции: на внешних валентных электронах атомов кремния «стенки» поры, размеры и концентрации нанодефектов в пористом кремнии, в монокристаллических пластинах кремнии, облученных протонами.
Библиографические ссылки
1. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, Л.М.Павлова, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность определения нанообъектов пустоты в наноматериалах позитронным методом. // Тезисы докладов. VI конференции по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям, 25-29 февраля 2008 г. Харьков. – Харьков: ННЦ ХФТИ, 2008, с.70.
2. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Успехи физических наук. 172, №1, 67 (2002).
3. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. МИЭТ, М. (1999). 176 c.
4. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков. Микроэлектроника. 34, №3, 218 (2005).
5. А.И.Гусев Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Физматлит, М. (2005). 415 с.
6. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Дягилев, В.В.Калугин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ) (Саров). Серия теоретическая и прикладная физика. вып.3, 40 (2004).
7. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, А.С.Тимошенков, Д.К.Григорьев, С.П.Тимошенков. Физика и химия обработки материалов №5, 5 (2006).
8. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Письма в ЖЭТФ 81, вып.11-12, 680 (2005).
9. Y.C.Jean. Microchem. J. 42, №1, 72 (1990).
10. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ал.С.Тимошенков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ан.С.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Д.К.Григорьев, Ю.В.Фунтиков. Петербургский журнал электроники № 3, 15 (2007).
11. Е.П.Прокопьев. Письма в ЖТФ. 16, вып.24, 6 (1990).
12. S. Dannefaer. Phys. stat. sol. (a). 102, №2, 481 (1987).
13. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с.
14. Ж.Бургуэн, М.Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985). 452 c.
2. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Успехи физических наук. 172, №1, 67 (2002).
3. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. МИЭТ, М. (1999). 176 c.
4. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков. Микроэлектроника. 34, №3, 218 (2005).
5. А.И.Гусев Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Физматлит, М. (2005). 415 с.
6. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Дягилев, В.В.Калугин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ) (Саров). Серия теоретическая и прикладная физика. вып.3, 40 (2004).
7. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, А.С.Тимошенков, Д.К.Григорьев, С.П.Тимошенков. Физика и химия обработки материалов №5, 5 (2006).
8. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Письма в ЖЭТФ 81, вып.11-12, 680 (2005).
9. Y.C.Jean. Microchem. J. 42, №1, 72 (1990).
10. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ал.С.Тимошенков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ан.С.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Д.К.Григорьев, Ю.В.Фунтиков. Петербургский журнал электроники № 3, 15 (2007).
11. Е.П.Прокопьев. Письма в ЖТФ. 16, вып.24, 6 (1990).
12. S. Dannefaer. Phys. stat. sol. (a). 102, №2, 481 (1987).
13. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с.
14. Ж.Бургуэн, М.Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985). 452 c.
Загрузки
Опубликован
2018-11-28
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
