POSSIBILITIES OF STUDYING OF NANOOBJECTS IN POROUS SILICON AND WAFERS OF SILICON IRRADIATED BY PROTONS BY METHOD OF POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY

Authors

  • V.I. Grafutin FSUE SSC RF A.I. Alikhanov Institute of Theoretical and Experimental Physics, Moscow
  • O.V. Ilyukhina FSUE SSC RF A.I. Alikhanov Institute of Theoretical and Experimental Physics, Moscow
  • G.G. Myasishcheva FSUE SSC RF A.I. Alikhanov Institute of Theoretical and Experimental Physics, Moscow
  • E.P. Prokopiev FSUE SSC RF A.I. Alikhanov Institute of Theoretical and Experimental Physics, Moscow
  • S.P. Timoshenkov Moscow State Institute of Electronic Engineering (MIET), Zelenograd
  • Yu.V. Funtikov FSUE SSC RF Institute of Theoretical and Experimental Physics. A.I. Alikhanova, Moscow
        38 16

Abstract

It is shown, that one of effective modern methods of definition of the nanodefect sizes (vacancies, vacansion clasters), free volumes of porous, cavities, emptiness in nanomaterials and porous systems is the method of positron annihilation spectroscopy (PAS). Examples of definition of the sizes and concentration of porous and free volumes in porous silicon, silicon and the monocrystals of quartz irradiated by protons are resulted.

References

1. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, Л.М.Павлова, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность определения нанообъектов пустоты в наноматериалах позитронным методом. // Тезисы докладов. VI конференции по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям, 25-29 февраля 2008 г. Харьков. – Харьков: ННЦ ХФТИ, 2008, с.70.

2. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Успехи физических наук. 172, №1, 67 (2002).

3. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. МИЭТ, М. (1999). 176 c.

4. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков. Микроэлектроника. 34, №3, 218 (2005).

5. А.И.Гусев Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Физматлит, М. (2005). 415 с.

6. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Дягилев, В.В.Калугин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ) (Саров). Серия теоретическая и прикладная физика. вып.3, 40 (2004).

7. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, А.С.Тимошенков, Д.К.Григорьев, С.П.Тимошенков. Физика и химия обработки материалов №5, 5 (2006).

8. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Письма в ЖЭТФ 81, вып.11-12, 680 (2005).

9. Y.C.Jean. Microchem. J. 42, №1, 72 (1990).

10. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ал.С.Тимошенков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ан.С.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Д.К.Григорьев, Ю.В.Фунтиков. Петербургский журнал электроники № 3, 15 (2007).

11. Е.П.Прокопьев. Письма в ЖТФ. 16, вып.24, 6 (1990).

12. S. Dannefaer. Phys. stat. sol. (a). 102, №2, 481 (1987).

13. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с.

14. Ж.Бургуэн, М.Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985). 452 c.

Downloads

How to Cite

Grafutin, V., Ilyukhina, O., Myasishcheva, G., Prokopiev, E., Timoshenkov, S., & Funtikov, Y. (2018). POSSIBILITIES OF STUDYING OF NANOOBJECTS IN POROUS SILICON AND WAFERS OF SILICON IRRADIATED BY PROTONS BY METHOD OF POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY. Recent Contributions to Physics (Rec.Contr.Phys.), 30(3), 47–54. Retrieved from https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1078

Issue

Vol. 30 No. 3 (2009): KazNU Bulletin. Physics series

Section

Condensed Matter Physics and Materials Science Problems. NanoScience