ПЬЕЗОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОДНООСНО ДЕФОРМИРОВАННОГО КРЕМНИЯ Р-ТИПА
Ключевые слова:
пъезосопротивления, пъезокедергісіАннотация
В статье даны экспериментальные результаты, полученные на кремнии р – типа при изучении продольного и поперечного пъезосопротивлений. Показано, что немонотонный характер поперечного пъезосопротивления определяется сравнимым вкладом в пъезосопротивление механизма переселения носителей тока из зоны «легких» дырок в зону «тяжелых» дырок и механизма, связанного с уменьшением значений эффективных масс дырок в зоне тяжелых дырок вследствие перестройки энергического спектра при одноосной деформации, снимающей вырождение валентных зон.
Библиографические ссылки
1. Hensel J. C., Feher G. Cyclotron Resоnance in Uniaxially Stressed Silicon: Valence Band Inverse Mass Parameters and Deformation Potentials // Phys. Rev., 1963, v.129,№3, p.1041-1062.
2. Hensel J. C., Hasegamwa H., Nakayama M . Cyclotron Resenance in Uniaxially Stressed Silicon II. Nature of the Covalent Band // Phys. Rev., 1963, v.138,№1A, p.A225-A238.
3. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. – Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., «Наука», 1972, 584с.
4. Баранский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. Г. – кн. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев-1975 Изд. «Наукова Думка» 705с.
5. Баранский П. И., Буда И. С., Даховский И. В., Коломоец В. В. кн. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. Киев, «Наукова Думка», 1977.
2. Hensel J. C., Hasegamwa H., Nakayama M . Cyclotron Resenance in Uniaxially Stressed Silicon II. Nature of the Covalent Band // Phys. Rev., 1963, v.138,№1A, p.A225-A238.
3. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. – Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., «Наука», 1972, 584с.
4. Баранский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. Г. – кн. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев-1975 Изд. «Наукова Думка» 705с.
5. Баранский П. И., Буда И. С., Даховский И. В., Коломоец В. В. кн. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. Киев, «Наукова Думка», 1977.
Загрузки
Опубликован
2009-11-06
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
