Электронные свойства пленок а-As40S30Sе30, модифицированных висмутом

N.G. Almasov; O.Yu. Prikhodko; N.E. Korobova; S.A. Dusembayev; K.D. Tsendin

Авторы

N.G. Almasov НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
O.Yu. Prikhodko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
N.E. Korobova НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
S.A. Dusembayev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
K.D. Tsendin Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, г. С-Петербург, Россия

Ключевые слова:

аморфные полупроводниковые пленки, ионно-плазменное распыление, халькоге- нидные стеклообразные полупроводники (ХСП), проводимость

Аннотация

В работе изучены такие электронные свойства, как температурная зависимость проводимости, проводимость при комнатной температуре, энергия активации проводимости, оптическая ширина запрещенной зоны аморфных пленок As₄₀S₃₀Se₃₀ с различным процентным содержанием висмута в составе. Установлено, что электронные параметры пленок при модифицировании висмутом существенно изменяются.