Электронные свойства пленок а-As40S30Sе30, модифицированных висмутом

Авторы

  • N.G. Almasov НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • O.Yu. Prikhodko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • N.E. Korobova НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • S.A. Dusembayev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • K.D. Tsendin Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, г. С-Петербург, Россия

Ключевые слова:

аморфные полупроводниковые пленки, ионно-плазменное распыление, халькоге- нидные стеклообразные полупроводники (ХСП), проводимость

Аннотация

В работе изучены такие электронные свойства, как температурная зависимость проводимости, проводимость при комнатной температуре, энергия активации проводимости, оптическая ширина запрещенной зоны аморфных пленок As40S30Se30 с различным процентным содержанием висмута в составе. Установлено, что электронные параметры пленок при модифицировании висмутом существенно изменяются.

Библиографические ссылки

1 Elektronnyye yavleniya v khal'kogenidnykh stekloobraznykh poluprovodnikakh / pod red. Tsendina K.D. (SPb.: Nauka, 1996), 486 s. (in Russ)

2 SH.SH. Sarsembinov, O.YU. Prikhod'ko, S.YA. Maksimova, Fizicheskiye osnovy modifikatsii elektronnykh svoystv nekristallicheskikh poluprovodnikov (Almaty: Kazakˌ universiteti, 2005), 341 s. (in Russ)

3 N.ZH. Almasov, O.YU. Prikhod'ko, K.D. Tsendin, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 46 (10), 1319-1322 (2012). (in Russ)

4 I. Mott, E. Devis, Elektronnyye protsessy v nekristallicheskikh veshchestvakh, (Moscow, Mir, 1982), 560 s. (in Russ)

Загрузки

Опубликован

2018-09-05

Выпуск

Том 40 № 1 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука