Получение тонких пленок SIC методом PECVD

Авторы

  • M.A. Omarov Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
  • O.Yu. Prikhodko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • V.V. Klimenov Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
  • T. Aitmukan Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
  • B.E. Alpysbayeva Лаборатория инженерного профиля КазНУ им. аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан
  • I.S. Nevmerzhitsky Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан

Ключевые слова:

высокочастотный разряд, газовая смесь, тонкие пленки, карбид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, сканирующая электронная микроскопия, структура

Аннотация

В работе представлены результаты получения карбида кремния в плазме высокочастотного разряда с приложением магнитного поля. В результате были получены тонкие пленки карбида кремния и кубического карбида кремния, которые отличаются по своей структуре и некоторым полупроводниковым свойствам.

Библиографические ссылки

1. Nagasawa H. Et al. Properties of Free-Standing 3C-SiC Monocrystals Grown on Undulant-Si (001) Substrate //Silicon Carbide and Related Materials. - 2002. - P. 177-181.

2. Матузов А.В. и др. Методика эпитаксиального наращивания кубического карбида кремния на кремнии по технологии CVD // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2007. - № 3. - С. 22-26.

3. Lebedev A.A. Heterojunctions and superlattices based on silicon carbide // Semicond. Sci. Technol. – 2006. – Vol. 21. – P.R17-R34.

Загрузки

Опубликован

2012-09-22

Выпуск

Том 42 № 3 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука