ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОГО И СВЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ БЛИЖНЕГО И СРЕДНЕГО ПОРЯДКОВ АТОМНОЙ СТРУКТУРЫ АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПЛЕНОК, ПРИГОТОВЛЕНННЫХ РАЗНЫМИ МЕТОДАМИ
Аннотация
Исследованы изменения оптических свойств и атомной структуры свежеприготовленных аморфных пленок As2Se3 и As2S3 при отжиге и облучении светом. Пленки приготавливались методами термического испарения в вакууме и высокочастотного ионно-плазменного распыления. Установлено, что после теплового и светового облучений край оптического поглощения пленок сдвигается, и имеют место изменения в атомной структуре пленок. Наибольшие изменения в атомной структуре и оптических свойствах, а также корреляция между изменениями в среднем порядке атомной структуры и оптической шириной запрещенной зоны были обнаружены у пленок, полученных методом термического испарения.
Библиографические ссылки
2. K.D. Tsendin, Electronic Phenomena in Chalcogenide Glassy Semiconductors, St Peterburg, 1996, 486 (in Russian)
3. J.P. De Neufville, S.C. Moss, S.R. Ovshinsky, J. Non-Cryst. Solids, 13 (1973/74) 191
4. K. Tanaka, Rev. Solid State Sci., 4 (1990) 641
5. G.Pfeiffer, M.A. Paesler, S.A. Agarwal, J. Non-Cryst. Solids, 130 (1991) 111
6. A.V. Kolobov, G.J. Adriaenssens, Phil. Mag., B 69 (1994) 21
7. Sh.Sh. Sarsembinov, O.Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, S.Ya. Maksimova and V.Zh. Ushanov, Semicond. Sci. Technol., 17 (2002) 1072
8. Sh.Sh. Sarsembinov, O.Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, S.Ya. Maksimova and V.Zh. Ushanov, Semicond. Sci. Technol., 19 (2004) 787.