Влияние разности прикладываемых потенциалов на структурные особенности CoCdSe тонких пленок

Аннотация

Одними из перспективных материалов на сегодняшний день в области полупроводников являются структуры на основе кадмия, селена, теллура и их соединений, имеющих один структурный тип A^IIB^VI, интерес к которым обусловлен возможностью их применения в различных фотоэлектронных устройствах, солнечных элементах, светодиодах, катализаторах и т.д. Данная работа посвящена изучению свойств тонких пленок на основе CoCdSe. В качестве метода синтеза использовался метод электрохимического осаждения, который позволяет с высокой точностью получать тонкие пленки с заданными параметрами. Получены результаты влияния разности прикладываемых потенциалов на структурные особенности CoCdSe тонких пленок. В качестве подложек для получения тонких пленок использовались полимерные пленки полиэтилентерефталата, обладающие хорошими адгезионными свойствами, позволяющими получать равномерные по высоте и составу тонкие пленки. Установлено, что изменение разности прикладываемых потенциалов приводит не только к изменению толщины тонких пленок при заданном временном интервале синтеза, но и изменять стехиометрический и фазовый состав тонких пленок. С применением метода рентгенофазового состава установлено, что увеличение разности прикладываемых потенциалов приводит к увеличению фазы CoSe, а также структурным упорядочениям и снижению дислокационной плотности дефектов в пленках.