Электронные свойства пленок а-As40S30Sе30, модифицированных висмутом

Авторы

  • N.G. Almasov НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • O.Yu. Prikhodko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • N.E. Korobova НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • S.A. Dusembayev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • K.D. Tsendin Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, г. С-Петербург, Россия

Ключевые слова:

аморфные полупроводниковые пленки, ионно-плазменное распыление, халькоге- нидные стеклообразные полупроводники (ХСП), проводимость

Аннотация

В работе изучены такие электронные свойства, как температурная зависимость проводимости, проводимость при комнатной температуре, энергия активации проводимости, оптическая ширина запрещенной зоны аморфных пленок As40S30Se30 с различным процентным содержанием висмута в составе. Установлено, что электронные параметры пленок при модифицировании висмутом существенно изменяются.

Загрузки

Опубликован

05.09.2018

Выпуск

Том 2012 № 1 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

Электронные свойства пленок а-As40S30Sе30, модифицированных висмутом. (2018). Recent Contributions to Physics, 2012(1), 8-11. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/671

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)