COMPLEXES OF UILERS IN SEMICONDUCTORS
45 36
Abstract
In article two cases of interaction of positrons and positroni with free carriers in semiconductors are considered.
References
1. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупровод-ников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.
2. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”.
Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”.
3. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном мате-риаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.
4. P.Sen, C.Sen //J. Phys. 1974. Vol.C7. P.2776.
5. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.
6. В.И.Гольданский. Физическая химия позитронов и позитрония. М.: Наука, 1968.
7. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кри-сталлах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475.
8. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.
9. W.Brandt, J.Reinheimer // Phys. Rev. 1970. Vol.B8. P.3104.
10. Д.Иваненко, А.Соколов // ДАН СССР. 1978. Т.239. С.1082.
11. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблю-дается одно короткое время жизни позитронов/ ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085.
12. J.Wheeler // Ann. N. Y. Acad. Sci, 1946. Vol,48. P.219.
13. M.A.Lampert // Phys. Rev. Lett. 1958. Vol.1, P.450.
14. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. - М., 1978. - 292 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". Сер. общетехническая. - № 14. - 1978.
15. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Пози-троны в конденсированных средах. - М., 1977. - 489 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2317. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". Сер. общетехническая. - № 9. - 1978.
16. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Пози-тронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. - М., 1986. - 86 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров. Сер. "ИМ". - №12. - 1987.
17. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. - М., 1979. - 12 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2757. МРС ВИМИ Техника, технология, экономика- 28. - 979.
18. В.Н.Абакумов, В.И.Перель, И.Н.Яссиевич // ФТП. 1978. Т.12. С.3.
19. В.Н.Абакумов, И.Н.Яссиевич // ЖЭТФ. 1976. Т.71. С.657.
20. В.Н.Абакумов, В.И.Перель, И.Н.Яссиевич // ЖЭТФ. 1977. Т.72. С.674.
21. G.T.Hill // NuovoCimento. 1972. Vol.10B. P.511.
22. R.R.Sharma // Phys. Rev. 1968. Vol.171. P.36.
23. J.R.Haynes // Phys. Rev. Lett. 1966. Vol.17. P.860.
24. O.Akimoto, E.Hanamura // J. Phys. Soc. Japan. 1972. Vol.33. P.1537.
25. O.Akimoto // J. Phys. Soc. Japan. 1973. Vol.35. P.973.
26. A.Ore // Univ. Bergen Arbook. №9, №12. 1949.
27. E.Hylleraas, A.Ore // 1947. Vol.71. P.493.
28. Л.В.Келдыш // УФН. 1970. Т.100. С.514.
29. Л.В.Келдыш // В сб. Экситоны в полупроводниках. М.: Наука, 1971. С.5.
2. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”.
Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”.
3. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном мате-риаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.
4. P.Sen, C.Sen //J. Phys. 1974. Vol.C7. P.2776.
5. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.
6. В.И.Гольданский. Физическая химия позитронов и позитрония. М.: Наука, 1968.
7. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кри-сталлах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475.
8. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.
9. W.Brandt, J.Reinheimer // Phys. Rev. 1970. Vol.B8. P.3104.
10. Д.Иваненко, А.Соколов // ДАН СССР. 1978. Т.239. С.1082.
11. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблю-дается одно короткое время жизни позитронов/ ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085.
12. J.Wheeler // Ann. N. Y. Acad. Sci, 1946. Vol,48. P.219.
13. M.A.Lampert // Phys. Rev. Lett. 1958. Vol.1, P.450.
14. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. - М., 1978. - 292 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". Сер. общетехническая. - № 14. - 1978.
15. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Пози-троны в конденсированных средах. - М., 1977. - 489 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2317. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". Сер. общетехническая. - № 9. - 1978.
16. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Пози-тронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. - М., 1986. - 86 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров. Сер. "ИМ". - №12. - 1987.
17. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. - М., 1979. - 12 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2757. МРС ВИМИ Техника, технология, экономика- 28. - 979.
18. В.Н.Абакумов, В.И.Перель, И.Н.Яссиевич // ФТП. 1978. Т.12. С.3.
19. В.Н.Абакумов, И.Н.Яссиевич // ЖЭТФ. 1976. Т.71. С.657.
20. В.Н.Абакумов, В.И.Перель, И.Н.Яссиевич // ЖЭТФ. 1977. Т.72. С.674.
21. G.T.Hill // NuovoCimento. 1972. Vol.10B. P.511.
22. R.R.Sharma // Phys. Rev. 1968. Vol.171. P.36.
23. J.R.Haynes // Phys. Rev. Lett. 1966. Vol.17. P.860.
24. O.Akimoto, E.Hanamura // J. Phys. Soc. Japan. 1972. Vol.33. P.1537.
25. O.Akimoto // J. Phys. Soc. Japan. 1973. Vol.35. P.973.
26. A.Ore // Univ. Bergen Arbook. №9, №12. 1949.
27. E.Hylleraas, A.Ore // 1947. Vol.71. P.493.
28. Л.В.Келдыш // УФН. 1970. Т.100. С.514.
29. Л.В.Келдыш // В сб. Экситоны в полупроводниках. М.: Наука, 1971. С.5.
Downloads
How to Cite
Svetlov – Prokop’ev Е. (2008). COMPLEXES OF UILERS IN SEMICONDUCTORS. Recent Contributions to Physics (Rec.Contr.Phys.), 25(1), 52–57. Retrieved from https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1460
Issue
Section
Thermal Physics and Theoretical Thermal Engineering
