ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ СКОРОСТИ АВТОЛОКАЛИЗАЦИИ ЭКСИТОНОВ В ЙОДИДАХ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ ПРИ ПОНИЖЕНИИ СИММЕТРИИ РЕШЕТКИ. СІЛТІЛІ МЕТАЛДАРДЫҢ ЙОДИДТЕРІНДЕ ТОР СИММЕТРИЯСЫ ТӨМЕНДЕГЕНДЕГІ ЭКСИТОНДАРДЫҢ ТҰРАҚТАЛУ ЖЫЛДАМДЫҒЫНЫҢ ТЕМПЕРАТУРАЛЫҚ ТƏУЕЛДІЛІГІ
48 28
Кілттік сөздер:
скорость автолокализации экситонов, экситондардың тұрақталу жылдамдығыАннотация
В статье рассчитана скорость автолокализации экситонов при разных температурах и воздействии одноосного и всестороннего сжатия. На основе кинетических представлений определены время автолокализации экситонов и длина свободного пробега в некоторых щелочногалоидных кристаллах. Показано увеличение скорости автолокализации экситонов при одноосном сжатии и уменьшение – при действии всестороннего сжатия. Полученные результаты согласуются с экспериментальными данными. Мақала сілтілі галоидты кристалдарда тор симметриясы бірөсті деформациямен жəне жан-жақты қысу əсер еткенде əр түрлі температураларда экситондардың тұрақталу жылдамдығы анықталды. Кейбір сілтілі галоидты кристалдарда кинетикалық теория негізінде экситондардың тұрақталу жылдамдығы, еркін жүру жолы анықталды. Алынған нəтижелер эксперименттік нəтижелермен сəйкес келеді.Библиографиялық сілтемелер
1. А.С. Иоселевич, Э.И. Рашба. Температурная зависимость скорости автолокализации. // Письма в ЖЭТФ. – Т. 40, вып.8. – С. 348-351.
2. Агранович В.Г. Теория экситонов. - М., 1978.
3. Сагимбаева Ш.З. Температурное тушение люминесценции автолокализованных экситонов при низкотемпературной одноосной деформации. // Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. – Актобе, 2003. – 67 с.
4. Ш.А. Вахидов, С.Джуманов. Новая модель экситон-дефектного превращения в ионных кристаллах. // Известия АН СССР. - №5. – С.63.
5. Тулепбергенов С.К. Моделирование влияния деформации на автолокализацию и распад электронных возбуждений в щелочногалоидных кристаллах // Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. – Актобе, 2002. – 120 c.
6. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons // Springer series in Solid-State Sciences Vol. 105. Springer-Verlag, Berlin, 1993.
7. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов. – Рига: Зинатне, 1979. – 252 с.
8. Лущик Ч.Б., Лущик АЧ. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. – М.: Наука, 1989. – 264 с.
9. Васильев А.Н., Михайлин В.В. Введение в спектроскопию диэлектриков. – М., 1998. – 213 с.
2. Агранович В.Г. Теория экситонов. - М., 1978.
3. Сагимбаева Ш.З. Температурное тушение люминесценции автолокализованных экситонов при низкотемпературной одноосной деформации. // Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. – Актобе, 2003. – 67 с.
4. Ш.А. Вахидов, С.Джуманов. Новая модель экситон-дефектного превращения в ионных кристаллах. // Известия АН СССР. - №5. – С.63.
5. Тулепбергенов С.К. Моделирование влияния деформации на автолокализацию и распад электронных возбуждений в щелочногалоидных кристаллах // Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. – Актобе, 2002. – 120 c.
6. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons // Springer series in Solid-State Sciences Vol. 105. Springer-Verlag, Berlin, 1993.
7. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов. – Рига: Зинатне, 1979. – 252 с.
8. Лущик Ч.Б., Лущик АЧ. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. – М.: Наука, 1989. – 264 с.
9. Васильев А.Н., Михайлин В.В. Введение в спектроскопию диэлектриков. – М., 1998. – 213 с.
Жүктелулер
Как цитировать
Zhanturina, N. N., Shunkeev, K. S., & Aliev, B. A. (2017). ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ СКОРОСТИ АВТОЛОКАЛИЗАЦИИ ЭКСИТОНОВ В ЙОДИДАХ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ ПРИ ПОНИЖЕНИИ СИММЕТРИИ РЕШЕТКИ. СІЛТІЛІ МЕТАЛДАРДЫҢ ЙОДИДТЕРІНДЕ ТОР СИММЕТРИЯСЫ ТӨМЕНДЕГЕНДЕГІ ЭКСИТОНДАРДЫҢ ТҰРАҚТАЛУ ЖЫЛДАМДЫҒЫНЫҢ ТЕМПЕРАТУРАЛЫҚ ТƏУЕЛДІЛІГІ. ҚазНУ Хабаршысы. Физика сериясы, 39(4), 9–14. вилучено із https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/156
Шығарылым
Бөлім
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
