КОНЦЕНТРАЦИЯСЫ NC/NSi = 0.12 КӨМІРТЕГІ ЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙДІН ЖҰҚА ҚАБАТТАРЫНЫҢ ҚҰРЫЛЫМЫ
53 25
Аннотация
NC/NSi = 0.12 көміртегі концентрациясы ендірілген Si қабатының құрылымы, фазалық және элементтік құрамы оже-электрондық спектроскопия, рентгендік дифракция, инфрақызыл спектроскопия және атомдық-күштік спектроскопия тәсілдері арқылы зерттелінеді. 720-830 аралығында басым болған Si-C байланыс түрлерінің кристалдану процестерің және ИК-өткізудің жоғарғы шың орнының арасындағы озара байланысы көрсетілген. SiC0.12 қабатында тетраэдрлік Si-C байланыстарының ұлғаюы температурасы 1200°С-дан жоғары кезінде берік оптикалық белсенді емес көміртегі кластерлерінің ыдырау себебінен болатыны көрсетілген. Ендіруден және жоғары температуралық күйдіруден кейін бет құрылымының өзгерісі зерттелінді.
Библиографиялық сілтемелер
1. Theodossiu E., Baumann H., Klimenkov M., Matz W. and Bethge K. Characterization of crystallinity of SiC surface layers produced by ion implantation // Phys. Stat. Sol. 2000, (a), 182, 653-660.
2. Баязитов Р.М., Хайбуллин И.Б., Баталов Р.И., Нурутдинов Р.М. Формирование слоев кубического карбида кремния на кремнии непрерывными и импульсными пучками ионов углерода // ЖТФ, 2003, 73 (6), 82-85.
3. Yаn Н., Wang В., Song Х.М., Таn L.W., Zhang S.J., Chen G.H., Wong S.P., Kwok R.W.M., Lео.W.M.Lau. Study on SiC layers synthesized with carbon ion beam at low substrate temperature // Diamond and related materials. 2000, 9, Р.1795-1798.
4. Dihu Chen, Wong S.P., Shenghong Yang, Mо D. Composition, structure and optical properties of SiC buried layer formed by high dose carbon implantation into Si using metal vapor vacuum arc ion source // Thin Solid Films, 2003, 426, Р.1-7.
5. Calcagno L., Compagnini G., Foti G., Grimaldi M.G., Musumeci Р. Carbon clustering in Si1-xCx formed by ion implantation // Nucl.Instrum. and Meth. 1996, B, 120, P.121- 124.
6. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B. and Tokbakov J. Investigation of structure and phase transformation in silicon implanted by 12C+ at room temperature. // Nucl.Instrum. and Meth. 1995, B103, Р.161-174.
7. Nussupov K.Kh., Sigle V.O. and Beisenkhanov N.B. Investigation of the formation of Si and SiC crystalline phases in room temperature C+ implanted Si // Nucl.Instrum. and Meth. 1993, B82, Р.69-79.
8. Kimura T., Kagiyama Sh. and Yugo Sh. Auger electron spectroscopy analysis of SiC layers form by carbon ion implantation into silicon // Thin Solid Films. 1984,122, 165-172.
9. Borders J.A., Picraux S.T. and Beezhold W. Formation of SiC in silicon by ion implantation // Appl.Phys.Lett. 1971, 18, 11, Р.509-511.
10. Баранова Е.K., Демаков K.Д., Старинин K.В., Стрельцов Л.Н., Хайбуллин И.Б. Исследование монокристаллических пленок SiC, полученных при бомбардировке ионами С+ монокристаллов Si // Доклады АН СССР. 1971, 200, 869.
11. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, I.V.Valitova, K.A. Mit’, D.M. Mukhamedshina, E.A. Dmitrieva. Structure properties of carbon implanted silicon layers // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2008. - 19:S254-S262. DOI 10.1007/s10854-007-9533-9.
12. Lindner J.K.N., Volz K., Preckwinkel U., Gotz B., Frohnwieser, A. Stritzker B., Rauschenbach B. Formation of buried epitaxial silicon carbide layers in silicon by ion beam synthesis // Materials Chemistry and Physics. 1996, 46 (2-3), Р.147-155.
13. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М. «Энергоиздат», 1985, 245 с.
14. Gibbons J.F., Johnson W.S. and Hylroic S.W. In “Projected Range Statistics” // 2nd ed. (Dowden, Stroudsburg. PA. 1975) Part 1, p.93.
2. Баязитов Р.М., Хайбуллин И.Б., Баталов Р.И., Нурутдинов Р.М. Формирование слоев кубического карбида кремния на кремнии непрерывными и импульсными пучками ионов углерода // ЖТФ, 2003, 73 (6), 82-85.
3. Yаn Н., Wang В., Song Х.М., Таn L.W., Zhang S.J., Chen G.H., Wong S.P., Kwok R.W.M., Lео.W.M.Lau. Study on SiC layers synthesized with carbon ion beam at low substrate temperature // Diamond and related materials. 2000, 9, Р.1795-1798.
4. Dihu Chen, Wong S.P., Shenghong Yang, Mо D. Composition, structure and optical properties of SiC buried layer formed by high dose carbon implantation into Si using metal vapor vacuum arc ion source // Thin Solid Films, 2003, 426, Р.1-7.
5. Calcagno L., Compagnini G., Foti G., Grimaldi M.G., Musumeci Р. Carbon clustering in Si1-xCx formed by ion implantation // Nucl.Instrum. and Meth. 1996, B, 120, P.121- 124.
6. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B. and Tokbakov J. Investigation of structure and phase transformation in silicon implanted by 12C+ at room temperature. // Nucl.Instrum. and Meth. 1995, B103, Р.161-174.
7. Nussupov K.Kh., Sigle V.O. and Beisenkhanov N.B. Investigation of the formation of Si and SiC crystalline phases in room temperature C+ implanted Si // Nucl.Instrum. and Meth. 1993, B82, Р.69-79.
8. Kimura T., Kagiyama Sh. and Yugo Sh. Auger electron spectroscopy analysis of SiC layers form by carbon ion implantation into silicon // Thin Solid Films. 1984,122, 165-172.
9. Borders J.A., Picraux S.T. and Beezhold W. Formation of SiC in silicon by ion implantation // Appl.Phys.Lett. 1971, 18, 11, Р.509-511.
10. Баранова Е.K., Демаков K.Д., Старинин K.В., Стрельцов Л.Н., Хайбуллин И.Б. Исследование монокристаллических пленок SiC, полученных при бомбардировке ионами С+ монокристаллов Si // Доклады АН СССР. 1971, 200, 869.
11. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, I.V.Valitova, K.A. Mit’, D.M. Mukhamedshina, E.A. Dmitrieva. Structure properties of carbon implanted silicon layers // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2008. - 19:S254-S262. DOI 10.1007/s10854-007-9533-9.
12. Lindner J.K.N., Volz K., Preckwinkel U., Gotz B., Frohnwieser, A. Stritzker B., Rauschenbach B. Formation of buried epitaxial silicon carbide layers in silicon by ion beam synthesis // Materials Chemistry and Physics. 1996, 46 (2-3), Р.147-155.
13. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М. «Энергоиздат», 1985, 245 с.
14. Gibbons J.F., Johnson W.S. and Hylroic S.W. In “Projected Range Statistics” // 2nd ed. (Dowden, Stroudsburg. PA. 1975) Part 1, p.93.
Жүктелулер
Как цитировать
Beisenkhanov, N. (2008). КОНЦЕНТРАЦИЯСЫ NC/NSi = 0.12 КӨМІРТЕГІ ЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙДІН ЖҰҚА ҚАБАТТАРЫНЫҢ ҚҰРЫЛЫМЫ. ҚазНУ Хабаршысы. Физика сериясы, 27(3), 99–105. вилучено із https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1495
Шығарылым
Бөлім
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
