О механизме формирования поликристаллического гетероперехода n-ZnO/p-CuO
Ключевые слова:
поликристаллические пленки оксидов цинка, поликристаллические пленки оксидов меди, эпи-таксиальные соотношения, гетеропереходАннотация
Рассматривается модель формирования гетероперехода на базе поликристаллических пленок оксидов цинка и меди. На основе анализа кристаллической структуры оксидов цинка и меди выявлены грани элементарных ячеек, между которыми выполняются эпитаксиальные соотношения. Показано также, что наряду с выполнением правила эпитаксиальных соотношений близость значений ионных радиусов двухзарядных ионов Cu++ и Zn++ дает возможность реализации поликристаллического гетероперехода в системе ZnO / CuО.
Библиографические ссылки
1 NakamuraY., Yoshioka H., Miyayama M., Yanagida H. Selective CO Gas Sensing Mecha-nism with CuO/ZnO Heterocontact // J.Electrochem.Soc. – 1990. - V.137, N.3. - P. 940-943.
2 Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И. Поликристаллический тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO // Физика и техника полупроводников, 2009. – Т.43. –В.6. - С. 794- 796.
3 Верменичев Б.М., Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И., Токмол-дин С.Ж. Электрофизические свойства гетероструктур n-ZnO/p-CuO // Физика и техника по-лупроводников. - 2007. - Т. 41.- В.3- С. 298-300.
4 F. Ozyurt kuş, T. Serin, N. Serin.Current transport mechanisms of n-ZnO/p-CuO Heterojunc-tions// Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2009. - Vol. 11, N. 11. - P. 1855 – 1859.
5 Sungmook Jung, Seongho Jeon and Kijung Yong. Fabrication and characterization of flower-like CuO–ZnO heterostructure nanowire arrays by photochemical deposition// Nanotechnology. – 2011. – Vol. 22. – P. 015606 (8 p.).
6 Алферов Ж.И. Гетеропереход // Физика, БЭС. – 1998. - 943 c.
7 Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. – М., 1971. - 253 с.
8 Питер Ю, Мануэль Кардона. Основы физики полупроводников. –М., 2002. -560 с.
9 Харбеке Г. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и примене-ния. - М.: Мир. 1989. - 341 с.
10 Таблицы физических величин / Справочник. - М.: Атомиздат, 1976. - 1006 с.
2 Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И. Поликристаллический тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO // Физика и техника полупроводников, 2009. – Т.43. –В.6. - С. 794- 796.
3 Верменичев Б.М., Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И., Токмол-дин С.Ж. Электрофизические свойства гетероструктур n-ZnO/p-CuO // Физика и техника по-лупроводников. - 2007. - Т. 41.- В.3- С. 298-300.
4 F. Ozyurt kuş, T. Serin, N. Serin.Current transport mechanisms of n-ZnO/p-CuO Heterojunc-tions// Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2009. - Vol. 11, N. 11. - P. 1855 – 1859.
5 Sungmook Jung, Seongho Jeon and Kijung Yong. Fabrication and characterization of flower-like CuO–ZnO heterostructure nanowire arrays by photochemical deposition// Nanotechnology. – 2011. – Vol. 22. – P. 015606 (8 p.).
6 Алферов Ж.И. Гетеропереход // Физика, БЭС. – 1998. - 943 c.
7 Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. – М., 1971. - 253 с.
8 Питер Ю, Мануэль Кардона. Основы физики полупроводников. –М., 2002. -560 с.
9 Харбеке Г. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и примене-ния. - М.: Мир. 1989. - 341 с.
10 Таблицы физических величин / Справочник. - М.: Атомиздат, 1976. - 1006 с.
Загрузки
Опубликован
2012-09-22
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
