About the mechanism of formation of polycrystalline n-ZnO/p-CuO heterojunction
Keywords:
film polycrystalline zinc oxide, copper oxide polycrystalline films, epitaxial relationships heterojunc-tionAbstract
The model of formation of heterojunction on the basis of polycrystalline films of zinc and copper oxides is considered. On the basis of the analysis of crystal structure of zinc and copper oxides it is carried sides of elementary cells between which out epitaxy parities are revealed. It is shown also, that alongside with performance of a rule epitaxy parities the affinity of values of ionic radiuses double charged ions Cu ++ and Zn ++ enables the realization of polycrystalline heterojunction in system ZnO/CuО.
References
2 Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И. Поликристаллический тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO // Физика и техника полупроводников, 2009. – Т.43. –В.6. - С. 794- 796.
3 Верменичев Б.М., Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И., Токмол-дин С.Ж. Электрофизические свойства гетероструктур n-ZnO/p-CuO // Физика и техника по-лупроводников. - 2007. - Т. 41.- В.3- С. 298-300.
4 F. Ozyurt kuş, T. Serin, N. Serin.Current transport mechanisms of n-ZnO/p-CuO Heterojunc-tions// Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2009. - Vol. 11, N. 11. - P. 1855 – 1859.
5 Sungmook Jung, Seongho Jeon and Kijung Yong. Fabrication and characterization of flower-like CuO–ZnO heterostructure nanowire arrays by photochemical deposition// Nanotechnology. – 2011. – Vol. 22. – P. 015606 (8 p.).
6 Алферов Ж.И. Гетеропереход // Физика, БЭС. – 1998. - 943 c.
7 Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. – М., 1971. - 253 с.
8 Питер Ю, Мануэль Кардона. Основы физики полупроводников. –М., 2002. -560 с.
9 Харбеке Г. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и примене-ния. - М.: Мир. 1989. - 341 с.
10 Таблицы физических величин / Справочник. - М.: Атомиздат, 1976. - 1006 с.