FORMATION OF LUMINESCENT NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS FROM A-SI:H BY USING RAPID THERMAL ANNEALING AND WET CHEMICAL ETCHING

Ye. T. Taurbayev; K. K. Dihanbayev; V. E. Nikulin; E. A. Svanbayev; T. I. Taurbayev; Yu. Timoshenko; N. E. Maslova; K. A. Gonchar

FORMATION OF LUMINESCENT NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS FROM A-SI:H BY USING RAPID THERMAL ANNEALING AND WET CHEMICAL ETCHING

Авторлар

Ye. T. Taurbayev Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
K. K. Dihanbayev Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
V. E. Nikulin Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
E. A. Svanbayev Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
T. I. Taurbayev Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Yu. Timoshenko M.V. Lomonosov Moscow State University
N. E. Maslova M.V. Lomonosov Moscow State University
K. A. Gonchar M.V. Lomonosov Moscow State University

Кілт сөздер:

Nanocrystalline, photoluminescence methods

Аңдатпа

Nanocrystalline silicon films, which exhibit efficient photoluminescence, were formed from amorphous films of hydrogenated silicon subjected to rapid thermal annealing and stain etching in hydrofluoric acid based solutions. The samples were investigated by means of scanning and transmission electron microscopy, optical spectroscopy of reflection, Raman scattering and photoluminescence methods, which revealed the nanocrystalline structure and excellent optical quality of the formed nc-Si films.

Жүктеулер

PDF (ағылшын тілі)

Журналдың саны

Нөмір 2009 № 4 (2009): KazNU Bulletin. Physics series

Бөлім

Condensed Matter Physics and Materials Science Problems. NanoScience

Дәйексөзді қалай келтіруге болады

FORMATION OF LUMINESCENT NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS FROM A-SI:H BY USING RAPID THERMAL ANNEALING AND WET CHEMICAL ETCHING. (2009). Хабаршы. Физика сериясы, 2009(4), 67-72. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/228