СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ ОТДЕЛЯЕМЫХ ПЛЕНОК AlAs-GaAs. AlAs-GaAs БӨЛІНІП АЛЫНАТЫН ҚАБЫҚШАЛАРДЫҢ НЕГІЗІНДЕ ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТІКTI ҚҰРАЛДАРДЫ ЖАСАУ ЖƏНЕ ОЛАРДЫҢ ПАРАМЕТРЛЕРІҢ ЗЕРТТЕУ

Авторы

  • V. S. Antoschenko НИИЭТФ, Казахский национальный университет им. аль-Фараби
  • Sh. B. Baiganatova
  • T. I. Taurbayev
  • Yu. V. Frantsev

Ключевые слова:

фотопреобразователь, фототүрлендіруші

Аннотация

Методом жидкофазной эпитаксии с использованием лишь одного раствора-расплава сформирован тонкопленочный фотопреобразователь со структурой Аu/n - GaАs/n+ - GаАs/n – AlGaAs. Полученные результаты показывают перспективность применения отделяемой технологии для создания приборов микро- и оптоэлектроники. Бір ерітінді-балқыманы пайдалану арқылы сұйық-фазалы эпитаксия процесі арқылы бөліну əдісімен құрылған Аu/n - GaАs/n+ - GаАs/n - AlGaAs құрылымды жұқа қабықшалы арзан фототүрлендіруші жасалған. Алынған нəтижелер бөлініп алынатын технологиясының микро- жəне оптоэлектрониканың құралдарың жасауға қолданудын перспективті екенін көрсетеді.

Библиографические ссылки

1. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И., Байганатова Ш.Б. Изучение формирования свободно расположенных пленок арсенида галлия в условиях раствор-расплавной кристаллизации // Вестник КазНУ , сер.Физическая.- №1(19), 2005.- С.70-75.

2. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И. Аномальный рост монокристаллических пленок при жидкостной эпитаксии // Электронная техника. Сер.6, Материалы, Вып.2(201), 1985.- С.54-58.

Загрузки

Выпуск

Том 31 № 4 (2009): Вестник. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)