FORMATION OF LUMINESCENT NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS FROM A-SI:H BY USING RAPID THERMAL ANNEALING AND WET CHEMICAL ETCHING

Ye. T. Taurbayev; K. K. Dihanbayev; V. E. Nikulin; E. A. Svanbayev; T. I. Taurbayev; Yu. Timoshenko; N. E. Maslova; K. A. Gonchar

FORMATION OF LUMINESCENT NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS FROM A-SI:H BY USING RAPID THERMAL ANNEALING AND WET CHEMICAL ETCHING

Авторы

Ye. T. Taurbayev Казахский национальный университет имени аль-Фараби
K. K. Dihanbayev Казахский национальный университет имени аль-Фараби
V. E. Nikulin Казахский национальный университет имени аль-Фараби
E. A. Svanbayev Казахский национальный университет имени аль-Фараби
T. I. Taurbayev Казахский национальный университет имени аль-Фараби
Yu. Timoshenko M.V. Lomonosov Moscow State University
N. E. Maslova M.V. Lomonosov Moscow State University
K. A. Gonchar M.V. Lomonosov Moscow State University

Ключевые слова:

Nanocrystalline, photoluminescence methods

Аннотация

Nanocrystalline silicon films, which exhibit efficient photoluminescence, were formed from amorphous films of hydrogenated silicon subjected to rapid thermal annealing and stain etching in hydrofluoric acid based solutions. The samples were investigated by means of scanning and transmission electron microscopy, optical spectroscopy of reflection, Raman scattering and photoluminescence methods, which revealed the nanocrystalline structure and excellent optical quality of the formed nc-Si films.

Загрузки

PDF (английский)

Выпуск

Том 2009 № 4 (2009): Вестник. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

FORMATION OF LUMINESCENT NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS FROM A-SI:H BY USING RAPID THERMAL ANNEALING AND WET CHEMICAL ETCHING. (2009). Recent Contributions to Physics, 2009(4), 67-72. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/228