Влияние неоднородности материала на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов

Аннотация

В работе рассматривается влияние неоднородности материала на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов. Рассмотрены структурные особенности Si(Li) p-i-n детекторов. Описаны результаты исследования диффузии и дрейфа ионов лития в кремний, выращенный по методу Чохральского и безтигельной зонной плавкий. Показано что, недостаточная компенсация чувствительной области детекторов обуславливается наличием локальных неоднородностей в объеме исходного материала, а также несовершенством контактов p-i-n структур. Описаны вольт – амперные и вольт-фарадные характеристики Si(Li) детекторов. Получены энергетические спектры детекторных структур по β-частицам 207Bi (Е=1 МэВ) R_β=38 кэВ и по α-частицами ²²⁶Ra (Е_α=7,65 МэВ) R_α=65 кэВ. Экспериментально показано, что результаты из низкоомного p-Si выращенного методом Чохральского имеют преимущества при использований для изготовления Si(Li) p-i-n детекторов больших размеров, малыми обратными токами и высокими эксплутационными характеристиками.