Влияние неоднородности материала на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов
Ключевые слова:
кремний, дрейф ионов лития, p-i-n структура, Si(Li) детекторАннотация
В работе рассматривается влияние неоднородности материала на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов. Рассмотрены структурные особенности Si(Li) p-i-n детекторов. Описаны результаты исследования диффузии и дрейфа ионов лития в кремний, выращенный по методу Чохральского и безтигельной зонной плавкий. Показано что, недостаточная компенсация чувствительной области детекторов обуславливается наличием локальных неоднородностей в объеме исходного материала, а также несовершенством контактов p-i-n структур. Описаны вольт – амперные и вольт-фарадные характеристики Si(Li) детекторов. Получены энергетические спектры детекторных структур по β-частицам 207Bi (Е=1 МэВ) Rβ=38 кэВ и по α-частицами 226Ra (Еα=7,65 МэВ) Rα=65 кэВ. Экспериментально показано, что результаты из низкоомного p-Si выращенного методом Чохральского имеют преимущества при использований для изготовления Si(Li) p-i-n детекторов больших размеров, малыми обратными токами и высокими эксплутационными характеристиками.
Библиографические ссылки
2 S.A., Azimov R.A. Muminov, et.al. Silicon-Lithium Nuclear Radiation Detectors, FAN, Tashkent, p. 256, (1981).
3 M.K. Bakhadirkhanov et al., Semiconductors, 44(9), 1145-1148, (2010).
4 B.A. Abdurakhmanov et al., Nanoscience and Nanotechnology, 4(3), 41-43, (2014).
5 S.Z. Karazhanov, Semiconductors, 34(8), 872-879, (2000).
6 A.K. Saymbetov, N.M. Japashov, N.K. Sissenov, N.B. Kuttybay, B.K. Mukhametkali, Ye. Tulkibayuly, M.K. Nurgaliyev, Bulletin of National Academy of sciences of the republic of Kazakhstan, 1(359), 15-18, (2016).
