Development of silicon strip detectors with orthogonal field

A.K. Saymbetov; A.K. Imanbayeva; Y.K. Toshmurodov; B.K. Mukhametkali; N.M. Japashov; Zh.G. Ayazbay

Авторы

A.K. Saymbetov Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
A.K. Imanbayeva Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
Y.K. Toshmurodov Физико-технический институт АН Узбекистана, г.Ташкент, Узбекистан
B.K. Mukhametkali Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
N.M. Japashov Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
Zh.G. Ayazbay Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы

Ключевые слова:

p-i-n структура, детектор, Si(Li) стрип детектор

Аннотация

Разработка полупроводниковых полосковых детекторов с ортогональным полем с высокой энергией и положением, линейность сигнала в широком диапазоне энергий для различных типов частиц тесно связана с технологией изготовления модулей обнаружения и полупроводниковых свойств исходного кристалла. В работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) стриповых детекторов с ортогональном полем с большой чувствительной областью. Электрофизические и радиометрические параметры изготовленной детекторов при рабочем напряжении U=(50-600)В находятся в пределах значения темнового тока I ~ (0,1÷0,5) мкА, емкость С = (20÷200)пФ, шумы E = (12÷35) кэВ. Энергетические разрешения R_β = 18кэВ по ЭВК ²⁰⁷Bi (E_β = 1МэВ) и R_α = 46 кэВ по ²³⁸Pu (E_α ≈ 5,5MэВ), соответственно. Исследовано влияние неоднородностей на характеристики стриповых детекторов, а также их роль в явлениях переноса носителей заряда в условиях ортогонального поля.