Получение тонких пленок SIC методом PECVD

Авторы

  • M.A. Omarov Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
  • O.Yu. Prikhodko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • V.V. Klimenov Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
  • T. Aitmukan Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
  • B.E. Alpysbayeva Лаборатория инженерного профиля КазНУ им. аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан
  • I.S. Nevmerzhitsky Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан

Ключевые слова:

высокочастотный разряд, газовая смесь, тонкие пленки, карбид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, сканирующая электронная микроскопия, структура

Аннотация

В работе представлены результаты получения карбида кремния в плазме высокочастотного разряда с приложением магнитного поля. В результате были получены тонкие пленки карбида кремния и кубического карбида кремния, которые отличаются по своей структуре и некоторым полупроводниковым свойствам.

Загрузки

Опубликован

22.09.2012

Выпуск

Том 2012 № 3 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

Получение тонких пленок SIC методом PECVD. (2012). Recent Contributions to Physics, 2012(3), 37-41. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/704

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)