Получение тонких пленок SIC методом PECVD

M.A. Omarov; O.Yu. Prikhodko; V.V. Klimenov; T. Aitmukan; B.E. Alpysbayeva; I.S. Nevmerzhitsky

Получение тонких пленок SIC методом PECVD

Авторы

M.A. Omarov Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
O.Yu. Prikhodko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
V.V. Klimenov Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
T. Aitmukan Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан
B.E. Alpysbayeva Лаборатория инженерного профиля КазНУ им. аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан
I.S. Nevmerzhitsky Физико-технический институт, г. Алматы, Казахстан

Ключевые слова:

высокочастотный разряд, газовая смесь, тонкие пленки, карбид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, сканирующая электронная микроскопия, структура

Аннотация

В работе представлены результаты получения карбида кремния в плазме высокочастотного разряда с приложением магнитного поля. В результате были получены тонкие пленки карбида кремния и кубического карбида кремния, которые отличаются по своей структуре и некоторым полупроводниковым свойствам.

Загрузки

Опубликован

22.09.2012

Выпуск

Том 2012 № 3 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

[1]

M. Omarov, O. Prikhodko, V. Klimenov, T. Aitmukan, B. Alpysbayeva, и I. Nevmerzhitsky, «Получение тонких пленок SIC методом PECVD», Rec.Contr.Phys., т. 2012, вып. 3, сс. 37–41, сен. 2012, просмотрено: 10 июль 2026 г. [онлайн]. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/704