RELAXATION OSCILLATIONS OF THE SUPERLUMINESCENCE IN THE SEMICONDUCTOR
44 21
Abstract
The intensity modulation of superluminescence with a period of about 1 picosecond in a semiconductor subject to an ultra-short high-power light pulse is shown to occur due to relaxation oscillations of radiation caused by local perturbations of quasi-Fermi distribution of non-equilibrium electrons in energy space.
References
1. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Кумеков С.Е., Налет Т.А., Стеганцов С.В. Модуляция характеристик интенсивного пикосекундного стимулированного излучения из GaAs , ФТП, 39, (2005) c. 681-688.
2. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) гл. 9.
3. Алтыбаев Г.С., Броневой И.Л., Кумеков С.Е. Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света. ФТП, 38, (2004), c. 674-677.
4. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Стеганцов С.В. Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света, возникающая при сверхкоротких оптической накачке и суперлюминесценции в GaAs. ФТП, 40, (2006) c. 806-814.
5. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Налет Т.А. Цикличность сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света, возникающей при накачке и стимулированном излучении в GaAs. ФТП, 42, (2008) c. 1053-1060.
6. Алтыбаев Г.С., Кумеков С.Е., Махмудов А.А. Энергетическое распределение неравновесных электронов и оптических фононов в GaAs при межзонном поглощении мощных коротких импульсов света. ФТП, 43, (2009) c. 674-310.
7. Левинсон В.Ф., Гантмахер И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984) с. 120.
8. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры (М.: Наука, 1976) с.415.
2. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) гл. 9.
3. Алтыбаев Г.С., Броневой И.Л., Кумеков С.Е. Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света. ФТП, 38, (2004), c. 674-677.
4. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Стеганцов С.В. Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света, возникающая при сверхкоротких оптической накачке и суперлюминесценции в GaAs. ФТП, 40, (2006) c. 806-814.
5. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Налет Т.А. Цикличность сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света, возникающей при накачке и стимулированном излучении в GaAs. ФТП, 42, (2008) c. 1053-1060.
6. Алтыбаев Г.С., Кумеков С.Е., Махмудов А.А. Энергетическое распределение неравновесных электронов и оптических фононов в GaAs при межзонном поглощении мощных коротких импульсов света. ФТП, 43, (2009) c. 674-310.
7. Левинсон В.Ф., Гантмахер И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984) с. 120.
8. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры (М.: Наука, 1976) с.415.
Downloads
How to Cite
Kumekov, S., & Mustafin, A. (2018). RELAXATION OSCILLATIONS OF THE SUPERLUMINESCENCE IN THE SEMICONDUCTOR. Recent Contributions to Physics (Rec.Contr.Phys.), 30(3), 43–46. Retrieved from https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1077
Issue
Section
Condensed Matter Physics and Materials Science Problems. NanoScience
