Влияние температуры смеси растворов нитрата свинца и гидроксида натрия на особенности роста пленок сульфида свинца
DOI:
https://doi.org/10.26577/RCPh.2024v89i2-07Ключевые слова:
сульфид свинца, пленка, изолированные частицы, температура, оптимальные параметрыАннотация
Настоящее исследование посвящено изучению влияния температуры на образование частиц сульфида свинца (PbS) субмикронного размера. Образцы сульфида свинца были получены методом химического осаждения из водного раствора. В качестве реагентов использовались 25 мл водного раствора нитрата свинца Pb(NO3)2, 75 мл гидроксида натрия NaOH и 50 мл тиомочевины CH4N2S с молярными концентрациями 0,18 М (1,52 г), 0,38 М (1.151 г) и 0,11 М (0,397 г), соответственно. В процессе получения образцов на начальном этапе производилось перемешивание растворов нитрата свинца и гидроксида натрия при температурах 70°C и 100°C, затем в данную смесь добавлялся раствор тиомочевины. Было установлено, что температура оказывает влияние на формировние структур PbS. Показано, что при температуре 100°C образуются изолированные частицы, тогда как при температуре 70°C формируется пленка.
Морфология и элементный состав полученных образцов сульфида свинца (PbS) изучались методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и поверхностная структура была изучена с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ). В результате исследования морфологии и струткутуры поверхности образцов сульфида свинца был определен средний размер изолированных частиц, который составляет ~144 нм, кроме того данные частицы имеют кубическую форму с гладкой поверхностью.
Библиографические ссылки
Z. Mamiyev, N.O. Balayeva, Materials Today Sustainability 21, 100305 (2023).
M.K.A Mohammed., Plasmonics 15(6), 1989–1996 (2020).
H. Tang et al., ACS Appl Nano Mater. 2(10), 6135–6143 (2019).
C.A Rodríguez., A.C Mera., et al., Materials Science in Semiconductor Processing 131, 105839 (2021).
B. Yesica Castillo-S´anchez, A. and Gonz´alez L, Materials Science in Semiconductor Processing 121, 105405 (2021).
Chalapathi U., Park S. H. et al., Materials Science in Semiconductor Processing 134, 106022 (2021).
V.P. Jyothilakshmi , N.M. Bhabhina, et al., Materials Today: Proceedings 33 (5), 2125-2129 (2020).
N. Huo, S. Gupta, et al., Adv. Mater. 29, 1606576 (2017).
H. Moughli, B. Azeddine, et al., Chalcogenide Letters 20(3), 227–233 (2023).
El Madani A., Daoudi1 O., et al., Brazilian Journal of Physics 51, 1166–1174 (2021).
B. Abdallah, R. Hussein, et al., Iranian Journal of Science and Technology 43, 1371-1380 (2020).
M.M. Weyde, M. Yarema, Chimia 75, P.398-413 (2021).
Y.Liu and N. Peard, Bulletin of the American Physical Society 64 (2) (2019).
A. M. Ahmed, M. Rabia et al., RSC Advances 10(24), 14458-14470 (2020).
S. John. M. Francis, et al., Chalcogenide Letters 20 (5), 315–323 (2023).
E. Barrios-Salgado, Y. Rodríguez-Lazcano, et al., Advances in Condensed Matter Physics, 31 Mar. 2019, 8 (2019).
P. Jayaraman, and S.K. Devarakonda, et al., Revue des composites et des matériaux avancés 31 (1), 13–19 (2021).
Y.B. Castillo-Sánchez and L.A. González, Mater Sci Semicond Process 121, 105405 (2021).
A. Sanchez-Martinez, O. Ceballos-Sanchez, et al., Ceramics International 47(13), 18898-18904 (2021).
A.P. Yepseu, T.Girardet, et al., Nanomaterials 2024, ID 9932000 (2024).
S. Iram, A. Mahmood, et al., // Nanomaterials 10(8), 1438 (2020).
A. Saka, L. Gudata, Sci Rep. 12, 11710 (2022).
A.A. Faremi, M.A. Adekoya., et al., Journal of Physics: Conference Series 2034, 012026 (2021).
G. Amirbekova, Zh.Tolepov, et al., Chaleogenide Letters 20 (12), 857–861 (2023).
