Қорғасын сульфиді пленкаларының өсу ерекшеліктеріне қорғасын нитраты мен натрий гидроксиді ерітінділер қоспасы температурасының әсері
DOI:
https://doi.org/10.26577/RCPh.2024v89i2-07Кілттік сөздер:
қорғасын сульфиді, пленка, оқшауланған бөлшектер, температура, оңтайлы параметрлерАннотация
Бұл зерттеу жұмысы температураның қорғасын сульфиді (PbS) субмикрондық өлшемді бөлшектерінің түзілуіне әсерін зерттеуге арналған. Қорғасын сульфидінің үлгілері сулы ерітіндіден химиялық тұндыру әдісімен алынды. Реагенттер ретінде 25 мл қорғасын нитраты Pb (NO3)2, 75 мл натрий гидроксиді NaOH және 50 мл тиомочевина CH4N2S тиісінше молярлық концентрациялары бойынша 0,11 М (0,397 г), 0,18 М (1,52 г), 0,38 М (1.151 г) сулы ерітінділері пайдаланылды. Үлгілерді алу процесінде бастапқы кезеңде қорғасын нитраты мен натрий гидроксиді ерітінділері 70°C және 100°C температурада араластырылды, содан кейін бұл қоспаға тиомочевина ерітіндісі қосылды. Температура PbS құрылымдарының қалыптасуына әсер ететіні анықталды. 100°C температурада оқшауланған бөлшектер пайда болды, ал 70°C температурада пленка пайда болды.
Алынған қорғасын сульфидінің (PbS) үлгілерінің морфологиясы мен элементтік құрамы сканерлеуші электронды микроскопия (СЭМ) әдісімен зерттелді және беттік құрылымы атомдық күштік микроскопы (АСМ) арқылы зерттелді. Қорғасын сульфидінің үлгілерінің морфологиясы мен беткі қабатын зерттеу нәтижесінде оқшауланған бөлшектердің орташа мөлшері анықталды, ол ~144 нм құрайды, сонымен қатар бұл бөлшектер беті тегіс текше түрінде болды.
Библиографиялық сілтемелер
Z. Mamiyev, N.O. Balayeva, Materials Today Sustainability 21, 100305 (2023).
M.K.A Mohammed., Plasmonics 15(6), 1989–1996 (2020).
H. Tang et al., ACS Appl Nano Mater. 2(10), 6135–6143 (2019).
C.A Rodríguez., A.C Mera., et al., Materials Science in Semiconductor Processing 131, 105839 (2021).
B. Yesica Castillo-S´anchez, A. and Gonz´alez L, Materials Science in Semiconductor Processing 121, 105405 (2021).
Chalapathi U., Park S. H. et al., Materials Science in Semiconductor Processing 134, 106022 (2021).
V.P. Jyothilakshmi , N.M. Bhabhina, et al., Materials Today: Proceedings 33 (5), 2125-2129 (2020).
N. Huo, S. Gupta, et al., Adv. Mater. 29, 1606576 (2017).
H. Moughli, B. Azeddine, et al., Chalcogenide Letters 20(3), 227–233 (2023).
El Madani A., Daoudi1 O., et al., Brazilian Journal of Physics 51, 1166–1174 (2021).
B. Abdallah, R. Hussein, et al., Iranian Journal of Science and Technology 43, 1371-1380 (2020).
M.M. Weyde, M. Yarema, Chimia 75, P.398-413 (2021).
Y.Liu and N. Peard, Bulletin of the American Physical Society 64 (2) (2019).
A. M. Ahmed, M. Rabia et al., RSC Advances 10(24), 14458-14470 (2020).
S. John. M. Francis, et al., Chalcogenide Letters 20 (5), 315–323 (2023).
E. Barrios-Salgado, Y. Rodríguez-Lazcano, et al., Advances in Condensed Matter Physics, 31 Mar. 2019, 8 (2019).
P. Jayaraman, and S.K. Devarakonda, et al., Revue des composites et des matériaux avancés 31 (1), 13–19 (2021).
Y.B. Castillo-Sánchez and L.A. González, Mater Sci Semicond Process 121, 105405 (2021).
A. Sanchez-Martinez, O. Ceballos-Sanchez, et al., Ceramics International 47(13), 18898-18904 (2021).
A.P. Yepseu, T.Girardet, et al., Nanomaterials 2024, ID 9932000 (2024).
S. Iram, A. Mahmood, et al., // Nanomaterials 10(8), 1438 (2020).
A. Saka, L. Gudata, Sci Rep. 12, 11710 (2022).
A.A. Faremi, M.A. Adekoya., et al., Journal of Physics: Conference Series 2034, 012026 (2021).
G. Amirbekova, Zh.Tolepov, et al., Chaleogenide Letters 20 (12), 857–861 (2023).
