Исследование фотоэлектрических свойств солнечных элементов с текстурированным пористым кремнием
Ключевые слова:
Кремниевый солнечный элемент, Пористый кремний, Термодиффузия, Диффузант, p-n-переход, Химическо травление, Фосфоросиликатное стеклоАннотация
В данной работе рассматриваются экспериментальные методы проведения процесса термодиффузии в пористом кремнии, определения глубины проникновения фосфора в кремний и построения профиля распределения концентрации примеси по глубине p-n- перехода, а также диффузия примесей фосфора через оксидную плен- ку пористого кремния. Кроме того в данной работе рассматривается возможность повышения тока короткого замыкания солнечного элемента за счет оптимизации уровня легирования и уменьшения темнового тока насыщения в p-n- переходе. В связи с этим, было исследовано поведение обратного темнового тока насыщения в зависимости от приложенного напряжения, при наличии легирующего оксида и без него. В работе показано, что с помощью проведение диффузии фосфора через слой наноструктурированного пористого кремния можно сформировать устойчивую структуру солнечного элемента с наилучшим выходным параметрами, вследствие уменьшения тока насыщения p-n-перехода.Библиографические ссылки
1 Strehlke S., Bastide S., Levy-Clement C. Optimization of porous silicon solar cells. //Solar Energy Materials & Solar Cells. – 1999. –Vol.58. - Р. 399-409.
2 Takagahara T., Takeda K. Theory of quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect-gap materials //Phys. Rev. B. – 1992. –Vol.46, №23. -P.15578-15581.
3 Adamian Z.N., Hakhoyan A.P., Aroutiounian V.M.,Barseghian R.S., Touryan K. Solar cells with porous silicon as antireflection layer //Solar Energy Materials & Solar Cells. -2000. –Vol.64. - Р. 347 - 351.
4 Chakravarty B.C., Tripathi J., Sharma A.K. et al. The growth kinetics and optical confinement studies of porous Si for application in terrestrial Si solar cells as antireflection coating //Solar Energy Materials and Solar Cells. -2007. –Vol.91, no. 8. –P.701–706.
5 Dikhanbayev K.K., Taurbayev E.T., Bayganatova Sh.B., Kablanbekov B.M. New effective methods for obtaining and optoelectronic properties of nanoporous silicon // Proceedings of the VIII International Conference «Advanced technologies, equipment and analytical systems for materials and nanomaterials» - 2011. Almaty. – P. 283-290.
6 Bilyalov R.R., Stalmans L., Schirone L. et al. Use of porous silicon antireflection coating in multicrystalline silicon solar
cell processing //IEEE Trans. Electron Devises. -1999. –Vol.46. –P.20352040.
2 Takagahara T., Takeda K. Theory of quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect-gap materials //Phys. Rev. B. – 1992. –Vol.46, №23. -P.15578-15581.
3 Adamian Z.N., Hakhoyan A.P., Aroutiounian V.M.,Barseghian R.S., Touryan K. Solar cells with porous silicon as antireflection layer //Solar Energy Materials & Solar Cells. -2000. –Vol.64. - Р. 347 - 351.
4 Chakravarty B.C., Tripathi J., Sharma A.K. et al. The growth kinetics and optical confinement studies of porous Si for application in terrestrial Si solar cells as antireflection coating //Solar Energy Materials and Solar Cells. -2007. –Vol.91, no. 8. –P.701–706.
5 Dikhanbayev K.K., Taurbayev E.T., Bayganatova Sh.B., Kablanbekov B.M. New effective methods for obtaining and optoelectronic properties of nanoporous silicon // Proceedings of the VIII International Conference «Advanced technologies, equipment and analytical systems for materials and nanomaterials» - 2011. Almaty. – P. 283-290.
6 Bilyalov R.R., Stalmans L., Schirone L. et al. Use of porous silicon antireflection coating in multicrystalline silicon solar
cell processing //IEEE Trans. Electron Devises. -1999. –Vol.46. –P.20352040.
Загрузки
Опубликован
2015-04-16
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
