Изучение параметров электронной литографии посредством АСМ
DOI:
https://doi.org/10.26577/rcph-2019-1-1112Кілттік сөздер:
литография, электронная литография, АСМ, метод центрифугирования, ПММА, доза облученияАннотация
В работе рассматривается один из методов формирования микро- и нано- изображений с высокой точностью контролирования процесса – электронная литография. По сравнению с остальными технологиями наноструктурирования, в частности, такими как фотолитография, электронная литография является более универсальной. В данной работе описаны технологические процессы электронной литографии на кремниевой подложке с применением резиста на основе полимера ПММА. Облучение проводилось в камере СЭМ электронами с энергией 5 кэВ, 15 кэВ, 30 кэВ и дозой экспонирования 1-10000 мкКл/см2. Анализ полученных образцов с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии (АСМ) показал зависимость цвета и соответствующей толщины резиста от дозы облучения. На основе профилей толщины резиста был проведен расчет таких параметров как положительная и негативная чувствительность и контраст.
Библиографиялық сілтемелер
2 D.S. Salenko, Automation and software engineering, 3 (5), 68-74 (2013). (in Russ).
3 N.Zh. Takibayev, S.I. Zaitsev, V.A. Kurmangalieva, D.M. Nasirov, M.N. Takibaev, B.K. Abdykadyrov, Laboratory workshop in physics: Virtual workshop nanomaker, Nanotechnology, Thermodynamics.Textbook, (Abay KazNPU, Almaty, 2012).- 140 p. (in Russ)
4 P.J. Cegielskia, J. Boltena, J.W. Kima, F. Schlachtera, C. Nowaka, T. Wahlbrinka, A. L. Gieseckea and M. C. Lemme, Microelectronic Engineering 197, 83-86 (2018).
5 V. Nazmov, Boris Goldenberg, Physics Procedia 84, 201-204 (2016).
6 M. Mahmoodiana, H. Hajihoseinib, S. Mohajerzadeha, Morteza Fathipour, Synthetic Metals 249, 14-24 (2019).
7 Xiaoqing Shi, Stuart A. Boden, Frontiers of Nanoscience 11, 563-594 (2016).
8 Shi, X., Prewett, P., Huq, E., Bagnall, D. M., Robinson, A. P. G., & Boden, S. A., Microelectronic Engineering 155, 74–78 (2016).
9 N.R. Guseinov, M.M. Muratov, M.T. Gabdullin, R.R. Nemkayeva, M.M. Myrzabekova, Ya.L. Shabelnikova, S.I. Zaitsev, 5th Intern. Sc. Conf. "Modern Problems of Condensed Matter Physics, Nanotechnology and Nanomaterials", (Almaty, 17-18 May, 2018), p.193-194. (in Russ).
10 Scott Hector, AIP Conference Proceedings (2005), p. 359-368.
11 H.S. Kim, S. Ahn, D.W. Kim, Y.C. Kim, & S.J. Ahn, Microelectronic Engineering, 86, 2049–2052 (2009).
12 M.A. Mohammad, T. Fito, J. Chen, S. Buswell, M. Aktary, M. Stepanova, S.K. Dew, Microelectronic Engineering 87, 1104–1107 (2010).
13 M.M. Myrzabekova, S. Sarkar, G.A. Baigarinova, N.R. Guseinov, A.M. Ilyin, Physical Sciences and Technology 1, 4-9, (2014).
14 C. Vieu, F. Carcenac, A. Pepin, Y. Chen, M. Mejias, A. Lebib, L. Manin-Ferlazzo, L. Couraud, H. Launois, Applied Surface Science 164, 111-117 (2000).
15 D.M. Tennant and A.R. Bleier, Reference Module in Materials Science and Materials Engineering, 1-25 (2016).
16 P. Rai-Choudhury, Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication, (SPIE, 1997), 776.
17 K. Vutova, G. Mladenov, Microelectronic Engineering 57–58, 349–353 (2001).
18 M.M. Myrzabekova, N.R. Guseinov, M.M. Muratov, M.T. Gabdullin, R. R. Nemkayeva, T. Tolkynbayeva, Ya.L. Shabelnikova, S.I. Zaitsev., Proc. 6th Intern. Conf. on Nanomaterials and Advanced Energy Storage Systems (INESS-2018) (Almaty, August, 2018), p.84.
19 J. Samàa, G. Domènech-Gila, I. Gràciac, X. Borriséc, C. Cané, S. Barthd, F. Steibe, A. Waage, J.-D. Pradesa, A. Romano-Rodríguez, Sensors and Actuators B, (2019).
20 M.A. Knyazev, S.V. Dubonos, A.A. Svintsov, S.I. Zaitsev, Microelectronic Engineering 84, 1080–1083 (2007).
