Расчет технологических параметров процесса напыления углеродных пленок на буферном слое меди. Көміртекті қабыршақтарды мыс буферлі қабатына тозаңдандыру процесінің технологиялық параметрлерін есептеу
68 58
Кілттік сөздер:
углеродные пленки, буферный слой, коэффициент распыления, скорость распыления, скорость напыления. көміртекті қабыршақтар, буферлі қабат, тозаңдандыру коэффициенті, тозаңдандыру жылдамдығы, тозаңдату жылдамдығы.Аннотация
В работе представлены результаты расчетов аналитических зависимостей технологических параметров процесса напыления углеродных пленок на буферном слое меди, которые позволяют прогнозировать оптимальную концентрацию водорода в газовой смеси, интервалы рабочих напряжений мишень-анод, толщину напыляемых пленок и соответственно время экспериментов. На основании расчетов построено математическое описание (алгоритм) процесса напыления углеродной пленки. Жұмыста көміртекті қабыршақтарды мыс буферлі қабатына тозаңдандыру процесінің технологиялық параметрлерінің аналитикалық тəуелділіктерінің нəтижелері келтірілген, олар газ қоспасындағы сутегінің оптималды концентрациясын, нысана-анод жұмыс кернеулерінің аралығын, тозаңдандырылатын қабыршақтардың қалыңдығын жəне сəйкесінше тəжірибелер уақытын болжауға мүмкіндік береді.Библиографиялық сілтемелер
1 A review of diamond synthesis by CVD processes, Michael Schwande, Knut Partes. Diamond and Related Materials,
Volume 20, Issue 9, 2011, pp. 1287-1301.
2 Carbon Materials and Nanotechnology. Anke Krueger, Copyright © 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA,
Weinheim, ISBN: 978-3-527-31803-2, pp. 475.
3 Preparation of diamond films with controllable surface morphology, orientation and quality in an overmoded microwave
plasma CVD chamber. J. Wenga, J.H. Wanga, S.Y. Daia, L.W. Xiongb, W.D. Manb, F. Liub. Applied Surface Science, Volume 276,
2013, pp. 529-534.
4 Mansurov B. The influence of applied fields on the nucleation and growth of heteroepitaxial carbon films. Nanoscale devices
– fundamentals and applications, R. Gross et al. (eds), 2006, Springer, Netherlands. -P. 387-399.
5 Danilin B.S. Primeneniye nizkotemperaturnoy plazmy dlya naneseniya tonkikh plenok. M.: Energoatomizdat, 1989. -328 s.
6 Sigmund P.. Theory of sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets. – Physical Review, 1969, vol.
184, N 2. – P.. 383-416.
7 Pod red. R. Berisha. Raspyleniye tverdykh tel ionnoy bombardirovkoy. - M.: Mir, 1984, s. 233-234 (dlya medi), s. 223 (dlya
grafita).
8 Danilin B.S., Kireyev V.YU. Ionnoye travleniye mikrostruktur. M.: Sovetskoye radio, 1979. -103 s.
Volume 20, Issue 9, 2011, pp. 1287-1301.
2 Carbon Materials and Nanotechnology. Anke Krueger, Copyright © 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA,
Weinheim, ISBN: 978-3-527-31803-2, pp. 475.
3 Preparation of diamond films with controllable surface morphology, orientation and quality in an overmoded microwave
plasma CVD chamber. J. Wenga, J.H. Wanga, S.Y. Daia, L.W. Xiongb, W.D. Manb, F. Liub. Applied Surface Science, Volume 276,
2013, pp. 529-534.
4 Mansurov B. The influence of applied fields on the nucleation and growth of heteroepitaxial carbon films. Nanoscale devices
– fundamentals and applications, R. Gross et al. (eds), 2006, Springer, Netherlands. -P. 387-399.
5 Danilin B.S. Primeneniye nizkotemperaturnoy plazmy dlya naneseniya tonkikh plenok. M.: Energoatomizdat, 1989. -328 s.
6 Sigmund P.. Theory of sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets. – Physical Review, 1969, vol.
184, N 2. – P.. 383-416.
7 Pod red. R. Berisha. Raspyleniye tverdykh tel ionnoy bombardirovkoy. - M.: Mir, 1984, s. 233-234 (dlya medi), s. 223 (dlya
grafita).
8 Danilin B.S., Kireyev V.YU. Ionnoye travleniye mikrostruktur. M.: Sovetskoye radio, 1979. -103 s.
Жүктелулер
Как цитировать
Мansurov B. Z., Мedyanova B. S., Mansurova, M. E., & Аliyev B. A. (2013). Расчет технологических параметров процесса напыления углеродных пленок на буферном слое меди. Көміртекті қабыршақтарды мыс буферлі қабатына тозаңдандыру процесінің технологиялық параметрлерін есептеу. ҚазНУ Хабаршысы. Физика сериясы, 46(3), 49–57. вилучено із https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/99
Шығарылым
Бөлім
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
