ӘРТҮРЛІ ӘДІСТЕРІМЕН ДАЙЫНДАЛҒАН БОСҚЫЛ ХАЛЬКОГЕНИДТІ ҚАБЫРШАҚТАРЫНЫҢ АТОМДЫҚ ҚҰРЫЛЫМНЫҢ ЖАҚЫН ЖӘНЕ ОРТАША РЕТТЕРІНДЕГІ ҚАСИЕТТЕРІНЕ ЖӘНЕ ПАРАМЕТРЛЕРІНЕ ЖЫЛУЛЫҚ ЖӘНЕ ЖАРЫҚ СӘУЛЕЛЕНДІРУДІҢ ТҮСІРЕТІН ЫҚПАЛЫ
Аннотация
Жарықпен сәулелендірудің және қыздырудың әсерінен жаңадан дайындалған As2Se3 және As2S3 босқыл қабыршақтардың оптикалық қасиеттерінің және атомдық құрылымның өзгеруі зерттелген. Қабыршақтар вакуумдағы термиялық булану және жоғары жиілікті иондық-плазмалық шашырау әдістерімен алынған. Жылулық және жарықтық сәулелендірудің әсерінен қабыршақтардың оптикалық жұтудың шеті ығысатыны және қабыршақтардың атомдық құрылымында өзгерістер пайда болатыны анықталған. Атомдық құрылымында және оптикалық қасиеттеріндегі көптеген өзгерістер және атомдық құрылымның орташа ретіндегі өзгерістерімен және тыйым салынған зонаның оптикалық еніндегі арасындағы корреляция термиялық булану әдісімен алынған қабыршақтарда пайда болатыны байқалған.
Библиографиялық сілтемелер
2. K.D. Tsendin, Electronic Phenomena in Chalcogenide Glassy Semiconductors, St Peterburg, 1996, 486 (in Russian)
3. J.P. De Neufville, S.C. Moss, S.R. Ovshinsky, J. Non-Cryst. Solids, 13 (1973/74) 191
4. K. Tanaka, Rev. Solid State Sci., 4 (1990) 641
5. G.Pfeiffer, M.A. Paesler, S.A. Agarwal, J. Non-Cryst. Solids, 130 (1991) 111
6. A.V. Kolobov, G.J. Adriaenssens, Phil. Mag., B 69 (1994) 21
7. Sh.Sh. Sarsembinov, O.Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, S.Ya. Maksimova and V.Zh. Ushanov, Semicond. Sci. Technol., 17 (2002) 1072
8. Sh.Sh. Sarsembinov, O.Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, S.Ya. Maksimova and V.Zh. Ushanov, Semicond. Sci. Technol., 19 (2004) 787.