Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Ключевые слова:
электролюминесценция, фотолюминесценция, светоизлучающий диод, вольт-амперная характеристика, жарықтандырушы диод, вольт-амперлік сипаттама.Аннотация
В настоящий момент существует необходимость создания светоизлучающих диодов на основе пористого кремния, обладающих интенсивностью излучения в видимой области. В настоящей работе рассмотрена актуальность исследовательского направления, предложен метод создания светодиода на основе сэндвич структуры с пористым кремнием и созданы опытные образцы, были исследованы их электро- и фотолюминесцентные и вольтамперные характеристики. Қазіргі таңда спектрдің көрінетiн облысындағы интерсивті сәуле шығару қабілетіне ие болатын кеуектi кремнийдiң негiзiндегі жарық шығару диодтарды жасау қажеттiлiгі бар. Осы жұмыста зерттеушi бағыттың өзектiлiгi қарастырылған, кеуектi кремнийі бар сэндвич құрылымның негiзінде жарық диодын жасаудың әдiсі ұсынылған және тәжiрибелi үлгiлер жасалған, олардың фото, электролюминесценттiк және вольт-ампер сипаттамалары зерттеген
Библиографические ссылки
2 Kuznetsov V.A., Andrienko I., Haneman D., Electro J. Photo and Scanning Tunneling- Luminescence Studies of LED Porous Silicon // J. of Por. Mat., -2000. №7, – P. 125-130.
3 Beliakov L.V., Goriachev D.N., Sresly О.М. Photorespons and electroluminescence structures Si/por-Si/ Metal chem. deposited // J. FTS, 2000, V. 34,- 11, – P. 1386-1389.
4 Pavesi L., Ceschini M., Roman H. Recombination dynamics in Porous Silicon // Thin Solid Films, 1995, V. 255. – P. 67-69.
5 Shatkovskiy Ye., Vertsinskiy YA. Fotolyuminestsentsiya v poristom kremnii pri intensivnom lazernom vozbuzhdenii // FTT, 1997, T. 31. – S. 593-596.
6 Fauchet P.M., Tsybeskov L., Duttagupta S.P. Stable photoluminescence and electroluminescence from porous silicon // Thin Solid Films, 1997. 297. – P. 254-256.
7 Pavesi L., Guardini R., Bellutti P. Porous Silicon n-p emitting diode // Thin Solid Films, 1997. – P. 272- 275.
