THERMODYNAMIC PECULIARITIES OF III-V COMPOUNDS FREE STANDING NANOMETER FILMS CRYSTALLIZATION BY SOLUTION TECHNIQUE
Abstract
The phase balance analysis of quaternary systems on the basis of III-V compounds containing Sn or Bi as a main component is carried out. It is shown, that the course of liquidus and solidus isotherms defines possibility of III-V free-standing nanometer films crystallisation.
References
1. Panish M.B. Phase equilibria in the system Al-Ga-As-Sn and electrical properties of Sn-doped liquid phase epitaxial AlxGa1-xAs // J.Appl.Phys.,Vol.44, N.6,1973.- Р.2667-2675.
2.Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr. 1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.
3. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И., Байганатова Ш.Б. Изучение формирования свободно расположенных пленок арсенида галлия в условиях раствор-расплавной кристаллизации // Вестник КазНУ , сер.Физическая.- №1(19), 2005.- С.70-75.
4. Antoschtnko V.S.,Taurbaev T.I. Skirnevskaya E.V. Formation peculiarities of III-V heterostructures by free film technology // 25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Salt Lake City, Utah18-22 Jan.1998,Abstr.1998.- Р.89
5. Антощенко В.С., Лаврищев О.А. Перспективы создания оптоэлектронных гетероструктур методом псевдоморфной кристаллизации// - Сб. трудов 5-ой Международной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование» Казахстан, Алматы, 9-12 октября 2007.- С.125
2.Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr. 1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.
3. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И., Байганатова Ш.Б. Изучение формирования свободно расположенных пленок арсенида галлия в условиях раствор-расплавной кристаллизации // Вестник КазНУ , сер.Физическая.- №1(19), 2005.- С.70-75.
4. Antoschtnko V.S.,Taurbaev T.I. Skirnevskaya E.V. Formation peculiarities of III-V heterostructures by free film technology // 25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Salt Lake City, Utah18-22 Jan.1998,Abstr.1998.- Р.89
5. Антощенко В.С., Лаврищев О.А. Перспективы создания оптоэлектронных гетероструктур методом псевдоморфной кристаллизации// - Сб. трудов 5-ой Международной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование» Казахстан, Алматы, 9-12 октября 2007.- С.125
Downloads
Published
2008-10-26
Issue
Section
Thermal Physics and Theoretical Thermal Engineering
