ЕРІТІНДІДЕН АЛЫНАТЫН А3В5 БАЙЛАНЫСТАРЫНЫҢ ЕРКІН ОРНАЛАСҚАН НАНОМЕТРЛІК ПЛЕНКАЛАРЫНЫҢ КРИСТАЛДАНУЫНЫҢ ТЕРМОДИНАМИКАЛЫҚ ЗАҢДЫЛЫҚТАРЫ
100 43
Аннотация
А3 В5 байланысы негізінде төрттік жүйе фазалық қалыптасудың талдауы жүргізілді, олар негізгі компонент ретінде Sn және Bi -ден тұрады. Ликвидус пен солидус изотермдерінің жолы осы байланыстардың бос наноөлшемді пленкасының кристалдану мүмкіндігін анықтады.
Библиографиялық сілтемелер
1. Panish M.B. Phase equilibria in the system Al-Ga-As-Sn and electrical properties of Sn-doped liquid phase epitaxial AlxGa1-xAs // J.Appl.Phys.,Vol.44, N.6,1973.- Р.2667-2675.
2.Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr. 1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.
3. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И., Байганатова Ш.Б. Изучение формирования свободно расположенных пленок арсенида галлия в условиях раствор-расплавной кристаллизации // Вестник КазНУ , сер.Физическая.- №1(19), 2005.- С.70-75.
4. Antoschtnko V.S.,Taurbaev T.I. Skirnevskaya E.V. Formation peculiarities of III-V heterostructures by free film technology // 25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Salt Lake City, Utah18-22 Jan.1998,Abstr.1998.- Р.89
5. Антощенко В.С., Лаврищев О.А. Перспективы создания оптоэлектронных гетероструктур методом псевдоморфной кристаллизации// - Сб. трудов 5-ой Международной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование» Казахстан, Алматы, 9-12 октября 2007.- С.125
2.Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr. 1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.
3. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И., Байганатова Ш.Б. Изучение формирования свободно расположенных пленок арсенида галлия в условиях раствор-расплавной кристаллизации // Вестник КазНУ , сер.Физическая.- №1(19), 2005.- С.70-75.
4. Antoschtnko V.S.,Taurbaev T.I. Skirnevskaya E.V. Formation peculiarities of III-V heterostructures by free film technology // 25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Salt Lake City, Utah18-22 Jan.1998,Abstr.1998.- Р.89
5. Антощенко В.С., Лаврищев О.А. Перспективы создания оптоэлектронных гетероструктур методом псевдоморфной кристаллизации// - Сб. трудов 5-ой Международной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование» Казахстан, Алматы, 9-12 октября 2007.- С.125
Жүктелулер
Как цитировать
Antoschenko, V., Lavrischev, O., & Francev, Y. (2008). ЕРІТІНДІДЕН АЛЫНАТЫН А3В5 БАЙЛАНЫСТАРЫНЫҢ ЕРКІН ОРНАЛАСҚАН НАНОМЕТРЛІК ПЛЕНКАЛАРЫНЫҢ КРИСТАЛДАНУЫНЫҢ ТЕРМОДИНАМИКАЛЫҚ ЗАҢДЫЛЫҚТАРЫ. ҚазҰУ Хабаршысы. Физика сериясы, 25(1), 46–51. вилучено із https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1459
Шығарылым
Бөлім
Теплофизика и теоретическая теплотехника
