ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА  В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

V.S. Antoshchenko; O.A. Lavrishchev; YU.V. Frantsev

ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

Авторы

V.S. Antoshchenko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
O.A. Lavrishchev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
YU.V. Frantsev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы

109 37

Аннотация

Предложена методика расчета и проведена оценка толщины пленочных монокристаллических подложек фосфида галлия, сформированных методом отделяемого роста из раствора-расплава. Показана возможность выращивания матричных пленочных подложек толщиной менее 20 нанометров.

Библиографические ссылки

1. Antoschtnko V.S.,Taurbaev T.I. Skirnevskaya E.V. Formation peculiarities of III-V heterostructures by free film technology // 25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Salt Lake City, Utah18-22 Jan.1998,Abstr.1998.- Р.89.

2. Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr.1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.

Загрузки

Как цитировать

Antoshchenko, V., Lavrishchev, O., & Frantsev, Y. (2008). ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP. Recent Contributions to Physics, 27(3), 71–75. извлечено от https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1489