Sn- Ga / InP ЖҮЙЕСІНДЕ БӨЛІНІП ӨСУ ӘДІСІМЕН АЛЫНҒАН ГАЛЛИЙ ФОСФИДІНІҢ ҮЛДІРЛІК МОНОКРИСТАЛДЫҚ ТӨСЕНІШІНІҢ ҚАЛЫНДЫҒЫН БАҒАЛАУ
36 16
Аннотация
Бөлінген өсу әдісімен дайындалған GaP монокристалды матрицалық субстраттардың қалыңдығын бағалау әдісі ұсынылады. 20 нм-ден аз матрицалық субстраттардың пайда болу мүмкіндігі көрсетілген.
Библиографиялық сілтемелер
1. Antoschtnko V.S.,Taurbaev T.I. Skirnevskaya E.V. Formation peculiarities of III-V heterostructures by free film technology // 25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Salt Lake City, Utah18-22 Jan.1998,Abstr.1998.- Р.89.
2. Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr.1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.
2. Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr.1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.
Жүктелулер
Жарияланды
2008-11-01
Шығарылым
Бөлім
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
