Изучение фазового равновесия в пятикомпонентной системе Sn-Bi-Al-Ga-As. Sn-Bi-Al-Ga-As бес компонентті жүйесіндегі фазалық тепе-теңдікті талдау
60 30
Ключевые слова:
Фазовое равновесие, растворимость GaAs, свободно расположенная пленка, раствор Bi-Sn, фазалық тепе-теңдік, GaAs ерігіштігі, еркін орналасқан қабықша, Bi-Sn ерітіндісіАннотация
Исследованы фазовые равновесия в системе Sn-Bi-Al-Ga-As в диапазоне температур 900-1100К применительно к технологии свободно расположенных монокристаллических пленок GaAs. Скорректированы параметры взаимодействия компонент в жидкой фазе и приведены результаты расчета фазовых диаграмм. Данные по ликвидусу указывают на наличие узкого интервалаAl (X0 Al), в котором растворимость GaAs не зависит от содержания Ga в Bi-Sn растворе. При XAl>X0 Al растворимость GaAs растет с XGa, и наоборот, при XAlX0 Al жағдайында GaAs еру қабілеті XGa мен бірге өседі, және керісінше XAl < X0 Al жағдайында ол кемиді. Al таралу коэффициенті XGa азаюымен тез артады және бұл құбылыс Sn-Bi ерітіндісінде XBi артқанда күрт байқалады. Бұл нәтижелер инертті ерітінділер негізіндегі жүйелерде еркін монокристаллды қабықшаларды синтез- деуге мүмкіндік бар екенін растайды.Библиографические ссылки
1 Yakusheva N.A. Liquid Phase Epitaxy of GaAs from Bismuth Melt//Cryst.prop.andprep. – 1991. – Vol.32-34. – P.537-541.
2 Gladkov P., Monova E., Weber J.J. Liquid phase epitaxy of n‐type GaAs from Bi solution // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol.74. – P.5020 – 5024.
3 Kressel H., Nelson H. Svoystva I primeneniya plenok soedineniy elementov grupp III i V, poluchennykh epitaksiey iz zhidkoy fazy // V sbornike Phizika tonkikh plenok. - M.:Mir, 1997.- V.7. - 443 p.
4 Antoshchenko V.S., Turbaev T.I., Baiganatova Sh.B. Izuchenie formirovaniya svobodno raspolozhennykh plenok arsenida galliya v usloviyakh rastvor-rasplavnoj kristallizatsii // KazNU Bulletin. Physics series. - 2005. - No 1 (19). - S.83-91.
5 Schermer J.J., Mulder P., Bauhuis G.J., M.M. Voncken A.J., J. van Deelen, Haverkamp E., and Larsen P.K. Epitaxial Lift-Off for large area thin film III/V devices // Phys. stat. sol. (a). – 2005. – Vol.202, No. 4. – P.501–508.
6 Hyun Kyong Cho, Sun-Kyung Kim, Duk Kyu Bae, Bong-Cheol Kang, Jeong Soo Lee, and Yong-Hee Lee Laser Lift off GaN thin-film photonic crystal GaN-based light-emitting diodes //IEEE photonics technology letter. – 2008. – Vol. 20, No. 24. – P.2096-2098.
7 Antoschenko V.S., Lavrischev O.A., Frantsev Yu.V., Antoschenko E.V. Raschet fazovojdiagrammy sistemy Bi-Ga-Al-As// KazNU Bulletin. Physics series. - 2012. - No 2 (41). - S.8-14.
8 Huber D. Thermodynamics of III-V solutions with n components// J. Phys. Chem. Solids. – 1973. - Vol.34. - P.1859-1865.
9 Panish M.B. Phase equilibria in the system Al-Ga-As-Sn and electrical properties of Sn-doped liquid phase epitaxial Alx Ga1-xAs // J.Appl.Phys. – 1973. – Vol. 44, No 6. - P.2667-2675.
10 Diagrammy sostoyaniya dvojnykh metallicheskikh sistem. - Spravochnik v 3-kh tomakh, tom 1, pod red. akad. RAN N.P. Lyakisheva. - M.: Mashinostroenie, 1996, 992s.ASM Handbook, V.3, Alloy Phase Diagrams, ASM International, 1992, 1741 p.
11 Panek M., Ratuszek M., Tlaczala M. Kinetics and edge growth effects of GaAs LPE layers grown in the Ga-As-Bi system// J.of Materials Science. – 1986. – Vol. 21. - P.3977-3980.
12 Rubenstein M. Solubility of GaAs in metallic solvents // J. Electrochem. Soc. – 1966. - Vol.113, No 7. - P.752-753.
13 Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Otdelyaemyj rost sovershennykh mono kristallicheskikh plenok v sistemeSn-Ga-Al-As // Pisma v ZhTF. – 1990. – T.16, v.12. - S.1-5.
2 Gladkov P., Monova E., Weber J.J. Liquid phase epitaxy of n‐type GaAs from Bi solution // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol.74. – P.5020 – 5024.
3 Kressel H., Nelson H. Svoystva I primeneniya plenok soedineniy elementov grupp III i V, poluchennykh epitaksiey iz zhidkoy fazy // V sbornike Phizika tonkikh plenok. - M.:Mir, 1997.- V.7. - 443 p.
4 Antoshchenko V.S., Turbaev T.I., Baiganatova Sh.B. Izuchenie formirovaniya svobodno raspolozhennykh plenok arsenida galliya v usloviyakh rastvor-rasplavnoj kristallizatsii // KazNU Bulletin. Physics series. - 2005. - No 1 (19). - S.83-91.
5 Schermer J.J., Mulder P., Bauhuis G.J., M.M. Voncken A.J., J. van Deelen, Haverkamp E., and Larsen P.K. Epitaxial Lift-Off for large area thin film III/V devices // Phys. stat. sol. (a). – 2005. – Vol.202, No. 4. – P.501–508.
6 Hyun Kyong Cho, Sun-Kyung Kim, Duk Kyu Bae, Bong-Cheol Kang, Jeong Soo Lee, and Yong-Hee Lee Laser Lift off GaN thin-film photonic crystal GaN-based light-emitting diodes //IEEE photonics technology letter. – 2008. – Vol. 20, No. 24. – P.2096-2098.
7 Antoschenko V.S., Lavrischev O.A., Frantsev Yu.V., Antoschenko E.V. Raschet fazovojdiagrammy sistemy Bi-Ga-Al-As// KazNU Bulletin. Physics series. - 2012. - No 2 (41). - S.8-14.
8 Huber D. Thermodynamics of III-V solutions with n components// J. Phys. Chem. Solids. – 1973. - Vol.34. - P.1859-1865.
9 Panish M.B. Phase equilibria in the system Al-Ga-As-Sn and electrical properties of Sn-doped liquid phase epitaxial Alx Ga1-xAs // J.Appl.Phys. – 1973. – Vol. 44, No 6. - P.2667-2675.
10 Diagrammy sostoyaniya dvojnykh metallicheskikh sistem. - Spravochnik v 3-kh tomakh, tom 1, pod red. akad. RAN N.P. Lyakisheva. - M.: Mashinostroenie, 1996, 992s.ASM Handbook, V.3, Alloy Phase Diagrams, ASM International, 1992, 1741 p.
11 Panek M., Ratuszek M., Tlaczala M. Kinetics and edge growth effects of GaAs LPE layers grown in the Ga-As-Bi system// J.of Materials Science. – 1986. – Vol. 21. - P.3977-3980.
12 Rubenstein M. Solubility of GaAs in metallic solvents // J. Electrochem. Soc. – 1966. - Vol.113, No 7. - P.752-753.
13 Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Otdelyaemyj rost sovershennykh mono kristallicheskikh plenok v sistemeSn-Ga-Al-As // Pisma v ZhTF. – 1990. – T.16, v.12. - S.1-5.
Загрузки
Как цитировать
Antoschenko, V. S., Francev, Y. V., Lavrischev, O. A., & Antoschenko, E. V. (2013). Изучение фазового равновесия в пятикомпонентной системе Sn-Bi-Al-Ga-As. Sn-Bi-Al-Ga-As бес компонентті жүйесіндегі фазалық тепе-теңдікті талдау. Вестник. Серия Физическая (ВКФ), 44(1), 11–17. извлечено от https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/65
Выпуск
Раздел
Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука
