Реализация метода нестационарной спектроскопии глубоких уровней в условиях лабораторного эксперимента для студентов вузов
Кілттік сөздер:
нестационарная спектроскопия глубоких уровней, примесь, релаксация, захват, эмиссияАннотация
В статье описывается метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) применительно к лабораторному эксперименту студентов, проходящих обучение по специализации в области полупроводниковых материалов и приборов в высших учебных заведениях. Данная методика применяется для исследования глубоких примесных уровней в барьерных структурах или p-n переходах. Основное преимущество данного метода заключается в его высокой чувствительности. Другими преимуществами метода являются возможность изучения процессов захвата и эмиссии носителей заряда на глубоких уровнях, исследование поведения дефектов и их природы, возможность определения параметров глубоких уровней, таких как энергия активации, сечение захвата и их концентрация, возможность определения типа ловушек. В качестве демонстрации данной методики представлены результаты измерений стандартным методом DLTS на кремниевых и германиевых диодах, полученные при помощи спектрометра DLS. На основании приведенного в статье материала возможна разработка методического пособия для лабораторных работ. Применение данной методики в обучающих условиях лабораторного эксперимента в вузах позволит студентам развить широкий спектр теоретических знаний и экспериментальных навыков в области полупроводниковой физики.
Библиографиялық сілтемелер
2. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. – 1974. – Vol. 45.
3. Булярский С.В., Грушко Н.В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. – М.: МГУ, 1995. – 391 с.
4. Boddaert X., Letartle X., Stevenard D., Bourgouin J. Thermal stability of EL2 in GaAs. // Add. Mater., Process and Devices III-V Compound Semicond.: Symp., Boston, Nov. 28-Dec. 2, 1988. – 1989. – Pittsbur. – P. 3-8.
5. Von Bardeleben H., Bourgouin J., Stevenard D., Lannoo M. On the metestable state of EL2 in GaAs. // Gallium arsenide and relat. compounds: Proc. 14th Int. Symp. Heraclion 28 Sept.-10 Oct. 1987. – 1988. – P. 399-452.
6. Литвинов В.Г. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. – Рязань: Рязанское ЦНТИ, информационный листок о НТР № 61-081-02. – 2002. – 4 с.
7. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т. / Пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – Т. 1. – 456 с.
References
1. L.S. Berman, A.A. Lebedev Emkostnaya spektroskopiya glubokikh tsentrov v poluprovodnikakh. – L.: Nauka, 1981, 176 p. (in russ.)
2. D.V. Lang, J. Appl. Phys., 45, (1974).
3. S.V. Bulyarskiy, N.V. Grushko Generatsionno-rekombinatsionnye protsessy v aktivnykh elementakh. – M.: MGU, 1995, 391 s. (in russ.)
4. X. Boddaert, X. Letartle, D. Stevenard, J. Bourgouin, Add. Mater., Process and Devices III-V Compound Semicond.: Symp., Boston, Nov. 28-Dec. 2, 1988, Pittsbur, 3-8, (1989).
5. H. Von Bardeleben, J. Bourgouin, D. Stevenard, M. Lannoo, Gallium arsenide and relat. compounds: Proc. 14th Int. Symp. Heraclion 28 Sept.-10 Oct. 1987, 399-452, (1988).
6. V.G. Litvinov Avtomatizirovannyi izmeritel'no-analiticheskiy kompleks tokovoi relaksatsionnoi spektroskopii glubokih urovnei. – Ryazan:' Ryazanskoye TsNTI, informatsionnyi listok o NTR No. 61-081-02, 2002, 4p. (in russ.)
7. S.M. Zi Phizika poluprovodnikovykh priborov. V 2-kh t., M.: Mir, 1984, 1. 456.
