CREATION AND INVESTIGATION OF PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES ON THE BASED AlAs-GaAs - FILMS

Authors

  • V. S. Antoschenko НИИЭТФ, Казахский национальный университет им. аль-Фараби
  • Sh. B. Baiganatova
  • T. I. Taurbayev
  • Yu. V. Frantsev
        31 18

Keywords:

phototransducer

Abstract

A cheap thin-film phototransducer with Аu/n - GaАs/n+ - GаАs/n – AlGaAs structure that was formed using a molten solution by the method of growth separation during liquid-phase epitaxy has been developed. Our obtained results show the adventage of application of sepation-film technology for developing devices in micro- and optoelectronics.

References

1. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И., Байганатова Ш.Б. Изучение формирования свободно расположенных пленок арсенида галлия в условиях раствор-расплавной кристаллизации // Вестник КазНУ , сер.Физическая.- №1(19), 2005.- С.70-75.

2. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И. Аномальный рост монокристаллических пленок при жидкостной эпитаксии // Электронная техника. Сер.6, Материалы, Вып.2(201), 1985.- С.54-58.

Downloads

Issue

Vol. 31 No. 4 (2009): KazNU Bulletin. Physics series

Section

Condensed Matter Physics and Materials Science Problems. NanoScience

Most read articles by the same author(s)